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場(chǎng)效應(yīng)mos管特性分析源表

參考價(jià)	￥ 1000
訂貨量	≥1臺(tái)

具體成交價(jià)以合同協(xié)議為準(zhǔn)

公司名稱武漢普賽斯儀表有限公司
品牌普賽斯儀表
型號(hào)S300B
所在地武漢市
廠商性質(zhì)生產(chǎn)廠家
更新時(shí)間2023/9/21 13:59:17
訪問(wèn)次數(shù)470

產(chǎn)品標(biāo)簽:

源測(cè)單元場(chǎng)效應(yīng)mos管特性分析 IV曲線測(cè)試掃描國(guó)產(chǎn)源測(cè)單元數(shù)字源表電流模塊

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公司介紹主營(yíng)產(chǎn)品

武漢普賽斯儀表有限公司是武漢普賽斯電子技術(shù)有限公司的全資子公司，一直專注于半導(dǎo)體的性能測(cè)試儀表的開發(fā)、生產(chǎn)與銷售，致力于滿足半導(dǎo)體領(lǐng)域從材料、晶圓到器件測(cè)試用科學(xué)儀器的國(guó)產(chǎn)替代需求。

基于普賽斯電子嶺先的光學(xué)與光電技術(shù)、微弱信號(hào)處理與抗干擾技術(shù)、高速數(shù)字信號(hào)處理、核心算法與系統(tǒng)集成等技術(shù)平臺(tái)優(yōu)勢(shì)，公司自主研發(fā)了高精度臺(tái)式數(shù)字源表、脈沖式源表、窄脈沖電流源、集成插卡式源表、高精度超大電流源、高精度高壓電源、數(shù)據(jù)采集卡等國(guó)產(chǎn)化電性能測(cè)試儀表，以及mini LED測(cè)試系統(tǒng)、電流傳感器測(cè)試系統(tǒng)、功率器件靜態(tài)參數(shù)測(cè)試系統(tǒng)等。產(chǎn)品以其測(cè)試精度高、速度快、兼容性強(qiáng)、測(cè)試范圍寬、可靠性高、操作簡(jiǎn)便以及快捷靈活的響應(yīng)式服務(wù)等優(yōu)勢(shì)，廣泛應(yīng)用于新型半導(dǎo)體器件材料分析、半導(dǎo)體分立器件測(cè)試、集成電路測(cè)試、高校教學(xué)實(shí)訓(xùn)平臺(tái)等應(yīng)用；為客戶提供模塊化硬件、高效驅(qū)動(dòng)程序和高效算法軟件組合,幫助用戶構(gòu)建自定義解決方案，同時(shí)滿足行業(yè)對(duì)測(cè)試效率、測(cè)試精度、供應(yīng)鏈安全以及規(guī)?；奶魬?zhàn)。

普賽斯儀表自主研制的國(guó)產(chǎn)化數(shù)字源表，可作為電壓源和或電流源并同步測(cè)量電流和或電壓，支持四象限工作。作為國(guó)內(nèi)嶺跑的半導(dǎo)體電性能測(cè)試儀表提供商，普賽斯儀表憑借長(zhǎng)期的技術(shù)創(chuàng)新、精益的生產(chǎn)制造、嚴(yán)格的質(zhì)量體系及國(guó)際化視野，推出的產(chǎn)品已被國(guó)內(nèi)通信巨圖和多家之名半導(dǎo)體企業(yè)認(rèn)可和應(yīng)用，是為數(shù)不多進(jìn)入國(guó)際半導(dǎo)體測(cè)試市場(chǎng)供應(yīng)鏈體系的半導(dǎo)體電性能測(cè)試設(shè)備廠商。未來(lái)，公司將繼續(xù)以“為客戶提供醉優(yōu)質(zhì)的產(chǎn)品與Z貼心的服務(wù)”為宗旨，朝著圈球半導(dǎo)體電性能測(cè)試儀表的嶺跑者邁進(jìn)。

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數(shù)字源表,脈沖恒流源,脈沖恒壓源,高壓源,大功率激光器老化系統(tǒng),功率器件靜態(tài)測(cè)試系統(tǒng)

產(chǎn)品簡(jiǎn)介在線詢價(jià)

場(chǎng)效應(yīng)mos管主要參數(shù)有輸入/輸出特性曲線、閾值電壓 VGS(th)、漏電流IGSS、 IDSS，擊穿電壓VDSS、低頻互導(dǎo)gm、輸出電阻RDS等。場(chǎng)效應(yīng)mos管特性分析源表認(rèn)準(zhǔn)生產(chǎn)廠家武漢普賽斯儀表

場(chǎng)效應(yīng)mos管特性分析源表產(chǎn)品信息

MOSFET(金屬—氧化物半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)晶體管)是一種利用電場(chǎng)效應(yīng)來(lái)控制其電流大小的常見半導(dǎo)體器件，可以廣泛應(yīng) 用在模擬電路和數(shù) 字電路當(dāng) 中。 MOSFET可以由硅制作，也可以由石墨烯，碳納米管等材料制作，是材料及器件研究的熱點(diǎn)。主要參數(shù)有輸入 / 輸出特性曲線、閾值電壓 VGS(th)、漏電流 IGSS、 IDSS，擊穿電壓VDSS、低頻互導(dǎo)gm、輸出電阻RDS等。

受器件結(jié)構(gòu)本身的影響,在實(shí)驗(yàn)室科研工作者或者測(cè)試工程師常見會(huì)碰到以下測(cè)試難題:

（1）由于MOSFET是多端口器件，所以需要多個(gè)測(cè)量模塊協(xié)同測(cè)試，而且MOSFET動(dòng)態(tài)電流范圍大，測(cè)試時(shí)需要量程范圍廣，測(cè)量模塊的量程需要可以自動(dòng)切換；

（2）柵氧的漏電與柵氧質(zhì)量關(guān)系極大，漏電增加到一定程度即可構(gòu)成擊穿，導(dǎo)致器件失效，因此MOSFET 的漏電流越小越好，需要高精度的設(shè)備進(jìn)行測(cè)試；

（3）隨著MOSFET特征尺寸越來(lái)越小，功率越來(lái)越大，自加熱效應(yīng)成為影響其可靠性的重要因素，而脈沖測(cè)試可以減少自加熱效應(yīng) ，利用脈沖模式進(jìn)行MOSFET的I-V測(cè)試可以準(zhǔn)確評(píng)估、表征其特性；

（4）MOSFET的電容測(cè)試非常重要，且與其在高頻應(yīng)用有密切關(guān)系。不同頻率下C-V曲線不同，需要進(jìn)行多頻率、多電壓下的C-V測(cè)試，表征MOSFET的電容特性。

使用普賽斯場(chǎng)效應(yīng)mos管特性分析源表S系列高精度數(shù)字源表、P系列高精度臺(tái)式脈沖源表對(duì)MOSFET常見參數(shù)進(jìn)行測(cè)試。

輸入/輸出特性測(cè)試

MOSFET是用柵電壓控制源漏電流的器件,在某一固定漏源電壓下,可測(cè)得一條IDs~VGs關(guān)系曲線,對(duì)應(yīng)一組階梯漏源電壓可測(cè)得一簇直流輸入特性曲線。 MOSFET在某一固定的柵源電壓下所得IDS~VDS 關(guān)系即為直流輸出特性，對(duì)應(yīng)一組階梯柵源電壓可測(cè)得一簇輸出特性曲線。根據(jù)應(yīng)用場(chǎng)景的不同，MOSFET器件的功率規(guī)格也不一致。針對(duì)1A以下的MOSFET器件，推薦2臺(tái)S系列源表搭建測(cè)試方案，較大電壓300V，較大電流1A, 最小電流100pA，可以滿足小功率MOSFET測(cè)試的需求。

源表測(cè)三極管連接圖.jpg

針對(duì)較大電流為1A~10A的MOSFET功率器件，推薦采用2臺(tái)P系列脈沖源表搭建測(cè)試方案，其較大電壓 300V，較大電流10A。

針對(duì)較大電流為10A~100A的MOSFET功率器件，推薦采用P系列脈沖源表+HCP搭建測(cè)試方案，較大電流高達(dá)100A。

閾值電壓VGS（th)

VGS(th)是指柵源電壓能使漏極開始有電流的VG S 值;測(cè)試儀表推薦S系列源表。

漏電流測(cè)試

IGSS(柵源漏電流)是指在特定的柵源電壓情況下流過(guò)柵極的漏電流；IDSS(零柵壓漏極電流)是指在當(dāng) VGS=0時(shí)，在只定的VDS下的DS之間漏電流，測(cè)試時(shí)推薦使用一臺(tái)普賽斯S系列或P系列源表；

耐壓測(cè)試

VDSS(漏源擊穿電壓)：是指在VGS=0的條件下，增加漏源電壓過(guò)程中使ID開始劇增時(shí)的VDS值；根據(jù)器件的規(guī)格不同，其耐壓指標(biāo)也不一致，測(cè)試所需的儀表也不同，擊穿電壓在300V以下推薦使用S系列臺(tái)式源表或P系列脈沖源表，其較大電壓300V，擊穿電壓在300V以上的器件推薦使用E系列，較大電壓3500V。

C-V測(cè)試

C-V測(cè)量常用于定期監(jiān)控集成電路的制造工藝，通過(guò)測(cè)量MOS電容高頻和低頻時(shí)的C-V曲線，可以得到柵氧化層厚度tox、氧化層電荷和界面態(tài)密度Dit、平帶電壓Vfb、硅襯底中的摻雜濃度等參數(shù)。分別測(cè)試Ciss(輸入電容)、Coss(輸出電容)以及Crss(反向傳輸電容)。

數(shù)字源表現(xiàn)廣泛用于半導(dǎo)體器件特性測(cè)試中，省錢省地，節(jié)約測(cè)試臺(tái)空間，同時(shí)實(shí)現(xiàn)了大動(dòng)態(tài)測(cè)試范圍，集電壓、電流輸入輸出及測(cè)量等多種功能于一體，普賽斯源表相對(duì)于進(jìn)口源表，測(cè)試范圍更廣，價(jià)格更便宜！較大輸出電壓達(dá)300V，最小測(cè)試電流達(dá)100pA，支持四象限工作，詳詢咨詢普賽斯儀表陶女士

關(guān)鍵詞：功率器件場(chǎng)效應(yīng)晶體管