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北京創(chuàng)四方電子集團股份有限公司

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IGBT驅動變壓器選型

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選型指南
    DRT系列IGBT驅動變壓器系我公司為驅動IGBT和MOSFET而專門研制的產(chǎn)品，以非晶合金和納米晶合金作為磁芯，可滿足多項應用要求。
 


一．產(chǎn)品特點：
①耦合電容低，使之具有很高的抗干擾能力；
②漏感小，保證了更好的輸出脈沖波形；
③無開關延時、瞬時傳輸功率高；
④抗電強度高，安全可靠；
⑤全封閉，機械和耐環(huán)境性能好；
⑥體積小巧，結構緊湊，外形美觀，針腳穿孔式安裝，使用方便。
 
 
二．使用條件：
①環(huán)境溫度：-40℃~+85℃
②相對濕度：溫度為40℃時不大于90%
③大氣壓力：860~1060mbar（約為650~800mmHg）
 
三．絕緣耐熱等級：F級（155℃）
 
四．安全特性：
①絕緣電阻：常態(tài)時大于1000MΩ
②阻燃性：符合UL94-V0級


    五．DRT系列驅動變壓器各型號典型特性對比表：
序號
型號
變比
（u）
∫udt
（μVS）
初級電感
LP
漏感
LS
分布電容
CK
耐壓
VP
外形尺寸
（mm）3
1
DRT801/101A
1:1
280
8mH
12μH
25pF
3.1kV
16.6×12.5×13.5
2
DRT801/201A
2:1
280
8mH
20μH
20pF
3.1kV
16.6×12.5×13.5
3
DRT801/301A
3:1
280
8mH
30μH
18pF
3.1kV
16.6×12.5×13.5
4
DRT801/111B
1:1:1
280
8mH
8μH
29pF
3.1kV
16.6×12.5×13.5
5
DRT801/211B
2:1:1
280
8mH
10μH
22pF
3.1kV
16.6×12.5×13.5
6
DRT801/311B
3:1:1
280
8mH
14μH
18pF
3.1kV
16.6×12.5×13.5
7
DRT802/101A
1:1
310
14mH
14μH
16pF
3.1kV
20.2×20×14.5
8
DRT802/201A
2:1
310
14mH
9μH
12pF
3.1kV
20.2×20×14.5
9
DRT802/301A
3:1
310
14mH
10μH
9pF
3.1kV
20.2×20×14.5
10
DRT802/111B
1:1:1
310
14mH
5μH
20pF
3.1kV
20.2×20×14.5
11
DRT802/211B
2:1:1
310
14mH
8μH
17pF
3.1kV
20.2×20×14.5
12
DRT802/311B
3:1:1
310
14mH
10μH
13pF
3.1kV
20.2×20×14.5
13
DRT803/101A
1:1
1000
3.5mH
4.5μH
50pF
6kV
30.14×27.94×25
14
DRT803/201A
2:1
1000
3.5mH
8μH
40pF
6kV
30.14×27.94×25
15
DRT803/301A
3:1
1000
3.5mH
12μH
32pF
6kV
30.14×27.94×25
16
DRT803/111B
1:1:1
1000
3.5mH
4.5μH
50pF
6kV
30.14×27.94×25
17
DRT803/211B
2:1:1
1000
3.5mH
8μH
40pF
6kV
30.14×27.94×25
18
DRT803/311B
3:1:1
1000
3.5mH
12μH
32pF
6kV
30.14×27.94×25
說明：
    ①上表中所給出的參數(shù)是在室溫下測得的典型值。
    ②各參數(shù)的意義：
    u—變比=Ⅰ：Ⅱ：Ⅲ
    VP—各繞組之間施加的抗電強度試驗電壓之有效值，持續(xù)時間60s
    ∫udt—額定伏微秒積≈V1·tn（在一定頻率范圍內其值基本不變）
    LP—線圈初級電感量 f=1000Hz V=0.3V
    LS—漏感（將次級繞組短路后測量）f=1000Hz V=1V
    CK—分布電容   f=1000Hz V=1V
 
    六．選型指南：
    ①首先根據(jù)系統(tǒng)的工作電壓V。（有效值）來確定所需的抗電強度Vp，可按表1推薦選擇：
    表1：
工作電壓
V。
220V
380V
500V
800V
抗電強度
Vp
1.9kV
3.1 kV
4.5 kV
6 kV
    ②根據(jù)控制級電源電壓和IGBT需要的驅動電壓選擇變比。
    例如：若初級脈沖幅值為15V，為了使IGBT可靠驅動，則需要選擇變比為1:1的驅動變壓器，如DRT801/101A、DRT801/111B或DRT802/101A等。若初級脈沖幅值為24-30V，為了使IGBT可靠驅動，則需要選擇變比為2:1的驅動變壓器，如DRT801/201A、DRT801/211B或DRT802/201A等。
    ③根據(jù)伏微秒積（∫udt）及驅動脈沖的頻率（Fp），按已知驅動脈沖的伏微秒積應小于等于該頻率范圍內DRT驅動變壓器的額定伏微秒積的原則選型。
    例如：若調制脈沖的頻率為20KHz，脈沖幅度為15V，脈寬為20μs，則其伏微秒積∫udt=15×20=300 μVs，按已知驅動脈沖的伏微秒積應小于等于該頻率范圍內DRT驅動變壓器的額定伏微秒積的原則選型，可選DRT802系列產(chǎn)品。若調制脈沖的頻率為50KHz，脈沖幅度為24V，脈寬為10μs，則其伏微秒積∫udt=24×10=240μVs，按已知驅動脈沖的伏微秒積應小于等于該頻率范圍內DRT驅動變壓器的額定伏微秒積的原則選型，可選DRT801系列產(chǎn)品。
    ④對驅動信號參數(shù)未知用戶，可按表2的推薦來選型。
    表2：
IGBT規(guī)格
（A）
100A以下
100A~400A
400A以上
推薦型號
DRT801/101A
DRT801/201A
DRT801/301A
DRT801/111B
DRT801/211B
DRT801/311B
DRT802/101A
DRT802/201A
DRT802/301A
DRT802/111B
DRT802/211B
DRT802/311B
DRT803/101A
DRT803/201A
DRT803/301A
DRT803/111B
DRT803/211B
DRT803/311B
    七．使用指南：
    ① 典型應用電路如下：
 
 
    ② 說明：
    ⅰ．R1、D1主要起續(xù)流作用。D1一般可選1N4007，R1可選1kΩ~2kKΩ；
    ⅱ．D2、D3，R2、R3主要起整形和防止IGBT柵極開路并提供放電回路。D2、D3可選用加速二極管，用以提高IGBT的開關速度，R2、R3可選幾十歐姆~幾百歐姆。
    ⅲ．D4、D5主要起限制加在IGBT（g-e）端的電壓作用，避免過高的柵射電壓擊穿柵極。
    ⅳ．驅動變壓器的使用頻率可以在幾kHz ~幾十kHz之間。

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