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基于TSC控制技術的可控硅開關分析 (1)

時間:2013/11/18閱讀:1159
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近年來,基于TSC(Thyristor Switched Cpacitor)的可控硅投切電容式消弧線圈相繼推出,取得了一定的效果,但仍存在一些問題,如線路中投切時的諧波問題一直未得到解決。為了能更好地控制諧波的產(chǎn)生以順利投切電容器,在線路中加入配合電容器的適當電抗器,該方法調諧速度快、調節(jié)范圍寬、適應能力強、具有線性調節(jié)特性,同時無諧波污染、可靠性高且損耗和噪聲小。經(jīng)實驗發(fā)現(xiàn),增加電抗器可減小涌流和畸變,并需增加合適大小的電抗器,以保證投切的可行性。

1 TSC式可控硅開關的結構
    TSC式可控硅開關的結構如圖1所示,即為可控硅控制的串有小電抗的電容器。由圖1可以看出,在可控硅開關控制電容器投切電路上串聯(lián)了與該電容器匹配的小型電抗器,增加了穩(wěn)定性。

 

    所使用的小型電抗器由空心線圈繞制而成,雖然其感抗值只有同組電容器容抗值的百分之幾,容量較小,對電容量的影響較弱,但作用較大。在投切電容時可減小沖擊和電壓及電流突變,增加穩(wěn)定性。

2 TSC的安全性
    
從目前TSC的運行狀況看,影響TSC的安全情況主要有:(1)電容器合閘時的過電壓。(2)電容器的合閘涌流引起的可控硅電流變化率di/dt過大。(3)可控硅散熱問題等。
2.1 可控硅的選擇
    
電容器的合閘涌流倍數(shù)km為
    
    式中,Sd為合閘點短路容量;Qc為電容器容量。
    即選擇可控硅時應留有一定的功率裕量,通常選擇有效值3~4倍的可控硅控制電阻和電容合理的裕量。但從安全

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