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絕緣柵雙極型晶體管,是由BJT(雙極型三極管)和MOS(絕緣柵型場(chǎng)效應(yīng)管)組成的復(fù)合全控型電壓驅(qū)動(dòng)式功率半導(dǎo)體器件, 兼有MOSFET的高輸入阻抗和GTR的低導(dǎo)通壓降兩方面的優(yōu)點(diǎn)。GTR飽和壓降低,載流密度大,但驅(qū)動(dòng)電流較大;MOSFET驅(qū)動(dòng)功率很小,開(kāi)關(guān)速度快,但導(dǎo)通壓降大,載流密度小。IGBT綜合了以上兩種器件的優(yōu)點(diǎn),驅(qū)動(dòng)功率小而飽和壓降低。
1.特點(diǎn):
● 低電感高可靠封裝
● 高絕緣耐壓
● 干法焊接工藝
● 防內(nèi)凹的結(jié)構(gòu)
2.典型應(yīng)用領(lǐng)域
直流電壓為600V及以上的變流系統(tǒng)如交流電機(jī)、變頻器、開(kāi)關(guān)電源、照明電路、牽引傳動(dòng)等領(lǐng)域。
3.主要額定值及特性參數(shù)
A、模塊的額定值及特性參數(shù)
型號(hào) | VCES | IC | Tc | IFRM 10MS | I2T | VCE sat | VGE(th) | RthJC | RthJk | 外形結(jié)構(gòu)代號(hào) |
V | A | ℃ | A | A2S | V | V | kW | kW | W34G | |
MGC60 | 1000 | 60 | 75 | 440 | 968 | 1.8/2 | 5.5 | 0.4 | 0.05 |