提出選擇和安裝過程中應(yīng)該注意的方面,對IGBT的特性注意事項(xiàng)進(jìn)行了研討。1 IGBT模塊簡介

      相信大家都知道IGBT是絕緣柵雙極型晶體管縮寫，IGBT是由MOSFET和雙極型晶體管復(fù)合而成的一種器件，其輸入極為

      MOSFET ,輸出極為PNP晶體管,既具有MOSFET器件驅(qū)動(dòng)功率小和開關(guān)速度快的優(yōu)點(diǎn),又具有雙極型器件飽和壓降低而容量大的優(yōu)點(diǎn),其頻率特性介于MOSFET與功率晶體管之間,可正常工作于幾+kHz頻率范圍內(nèi),在現(xiàn)代電力電子技術(shù)中得到了越來越廣泛的應(yīng)用,在較高頻率的大、**率應(yīng)用中占據(jù)了主導(dǎo)地位。它融和了這兩種器件的優(yōu)點(diǎn),

      IGBT的等效電路如圖1所示。由圖1可知,若在IGBT的柵極和發(fā)射極之間加上驅(qū)動(dòng)正電壓,則MOSFET導(dǎo)通,這樣PNP晶體管的集電極與基極之間成低阻狀態(tài)而使得晶體管導(dǎo)通;若IGBT的柵極和發(fā)射極之間電壓為0V ,則MOS截止,切斷PNP晶體管基極電流的供給,使得晶體管截止。IGBT與MOSFET- 樣也是電壓控制型器件，在它的柵極-發(fā)射極間施加十幾V的直流電壓,只有在u*的漏電流流過,基本上不消耗功率。圖1 IGBT的等效電路

      2保管時(shí)的注意事項(xiàng)

      一般保存IGBT模塊的場所,應(yīng)保持常溫常濕狀態(tài),不應(yīng)偏離太大。常溫的規(guī)定為5~ 35*C ,常濕的規(guī)定在45 ~75%左右。在冬天特別干燥的地區(qū),需用加濕機(jī)加濕;

      盡雖遠(yuǎn)離有腐蝕性氣體或灰塵較多的場合;

      在溫度發(fā)生急劇變化的場所IGBT模塊表面可能有結(jié)露水的現(xiàn)象,因此IGBT模塊應(yīng)放在溫度變化較小的地方;保管時(shí),須注意不要在IGBT模塊上堆放重物; CEDN論壇裝IGBT模塊的容器,應(yīng)選用不帶靜電的容器。3使用中的注意事項(xiàng)

      由于IGBT模塊為MOSFET結(jié)構(gòu), IGBT的柵極通過- -層氧化膜與發(fā)射極實(shí)現(xiàn)電隔離。由于此氧化膜很薄,其擊穿電壓一般達(dá)到20 ~ 30V。因此因靜電而導(dǎo)致柵極擊穿是IGBT失效的常見原因之-。因此使用中要注意以下幾點(diǎn):

      在使用模塊時(shí),盡量不要用手觸摸驅(qū)動(dòng)端子部分,當(dāng)必須要觸摸模塊端子時(shí),要先將人體或衣服上的靜電用大電阻接地進(jìn)行放電后,再觸摸;

      在用導(dǎo)電材料連接模塊驅(qū)動(dòng)端子時(shí),在配線未接好之前請先不要接上模塊;盡量在底板良好接地的情況下操作。

      此外,在柵極-發(fā)射極間開路時(shí),若在集電極與發(fā)射極間加上電壓,則隨著集電極電位的變化,由于集電極有屬電流流過,柵極電位升高,集電極則有電流流過。這時(shí)，如果集電極與發(fā)射極間存在高電壓,則有可能使IGBT發(fā)熱及至損壞。

      在使用IGBT的場合，當(dāng)柵極回路不正常或柵極回路損壞時(shí)(柵極處于開路狀態(tài)) ,若在主回路上加上電壓,則IGBT就會(huì)損壞,為防止此類故障,應(yīng)在柵極與發(fā)射極之間串接-只10K2左右的電阻。

      在安裝或更換IGBT模塊時(shí) .應(yīng)十分重視IGBT模塊與散熱片的接觸面狀態(tài)和擰緊程度。為了減少接觸熱阻, *好在散熱器與IGBT模塊間涂抹導(dǎo)熱硅輯。一般散熱片底部安裝有散熱風(fēng)扇， 當(dāng)散熱風(fēng)扇損壞中散熱片散熱不佳時(shí)將導(dǎo)致IGBT模塊發(fā)熱 ，而發(fā)生故障。因此對散熱風(fēng)扇應(yīng)定期進(jìn)行檢查,一般在散熱片上靠近IGBT模塊的地方安裝有溫度感應(yīng)器,當(dāng)溫度過高時(shí)將報(bào)警或停止IGBT模塊工4 IGBT模塊的選擇

      IGBT模塊的電壓規(guī)格與所使用裝置的輸入電源即試電電源電壓緊密相關(guān)。其相互關(guān)系見下表。使用中當(dāng)IGBT模塊集電極電流增大時(shí),所產(chǎn)生的額定損耗亦變大。同時(shí),開關(guān)損耗增大,使原件發(fā)熱加口劇,因此,選用IGBT模塊時(shí)額定電流應(yīng)大于負(fù)載電流。特別是用作高頻開關(guān)時(shí)，由于開關(guān)損耗增大,發(fā)熱加劇,選用時(shí)應(yīng)該降等使用。