大功率IGBT靜態(tài)參數(shù)測(cè)試系統(tǒng)簡(jiǎn)介

普賽斯PMST功率器件靜態(tài)參數(shù)測(cè)試系統(tǒng)，集多種測(cè)量和分析功能一體，可以精準(zhǔn)測(cè)量不同封裝類(lèi)型功率器件（MOSFET、BJT、IGBT等）的靜態(tài)參數(shù)，具有高電壓和大電流特性、μΩ級(jí)J確測(cè)量、納安級(jí)電流測(cè)量能力等特點(diǎn)。支持高壓模式下測(cè)量功率器件結(jié)電容，如輸入電容、輸出電容  、反向傳輸電容等。

普賽斯PMST功率器件靜態(tài)參數(shù)測(cè)試系統(tǒng)配置有多種測(cè)量單元模塊，模塊化的設(shè)計(jì)測(cè)試方法     靈活，方便用戶添加或升級(jí)測(cè)量模塊，適應(yīng)測(cè)量功率器件不斷變化的需求。

系統(tǒng)組成

普賽斯PMST功率器件靜態(tài)參數(shù)測(cè)試系統(tǒng)，主要由測(cè)試儀表、上位機(jī)軟件、電腦、矩陣開(kāi)     關(guān)、夾具、高壓及大電流信號(hào)線等構(gòu)成。整套系統(tǒng)采用普賽斯自主開(kāi)發(fā)的靜態(tài)測(cè)試主機(jī)，內(nèi)置多種電壓、電流等級(jí)的測(cè)量單元。結(jié)合自主開(kāi)發(fā)的上位機(jī)軟件控制測(cè)試主機(jī)，可根據(jù)測(cè)試項(xiàng)目需要，選擇不同的電壓、電流等級(jí)，以滿足不同測(cè)試需求。      

系統(tǒng)主機(jī)的測(cè)量單元，主要包括普賽斯P300高精度臺(tái)式脈沖源表、HCPL系列高電流脈沖電     源、E系列高壓源測(cè)單元、C-V測(cè)量單元等。其中P300高精度臺(tái)式脈沖源表用于柵極驅(qū)動(dòng)與測(cè)試使用，較大支持30V@10A脈沖輸出與測(cè)試；HCPL系列高電流脈沖電源用于集電極、發(fā)射極之間電流測(cè)試及續(xù)流二極管的測(cè)試，15μs的超快電流上升沿，自帶電壓采樣，單設(shè)備支持Z大1000A脈沖電流輸出；E系列高壓源測(cè)單元用于集電極、發(fā)射極之間電壓，漏電流測(cè)試，Z高支持3500V電壓輸出，并且自帶電流測(cè)量功能。系統(tǒng)的電壓、電流測(cè)量單元，均采用多量程設(shè)計(jì)， 精度為0.1%。      

大功率IGBT靜態(tài)參數(shù)測(cè)試系統(tǒng)特點(diǎn)

• 高電壓：支持高達(dá)3.5KV高電壓測(cè)試（Z大擴(kuò)展至10kV）；

• 大電流：支持高達(dá)4KA大電流測(cè)試（多模塊并聯(lián)）；

• 高精度：支持uΩ級(jí)導(dǎo)通電阻、納安級(jí)漏電流測(cè)試；

• 豐富模板：內(nèi)置豐富的測(cè)試模板，方便用戶快速配置測(cè)試參數(shù)；

• 配置導(dǎo)出：支持一鍵導(dǎo)出參數(shù)配置及一鍵啟動(dòng)測(cè)試功能；

• 數(shù)據(jù)預(yù)覽及導(dǎo)出：支持圖形界面以及表格展示測(cè)試結(jié)果，亦可一鍵導(dǎo)出；

• 模塊化設(shè)計(jì)：內(nèi)部采用模塊化結(jié)構(gòu)設(shè)計(jì)，可自由配置，方便維護(hù)；

• 可拓展：支持拓展溫控功能，方便監(jiān)控系統(tǒng)運(yùn)行溫度；

• 可定制開(kāi)發(fā)：可根據(jù)用戶測(cè)試場(chǎng)景定制化開(kāi)發(fā)；

技術(shù)指標(biāo)

功率器件靜態(tài)測(cè)試系統(tǒng)主要由多臺(tái)源表、電橋、矩陣開(kāi)關(guān)、PC、上位機(jī)控制軟件、夾具盒等組成。針對(duì)不同的測(cè)試需求，用戶可以選擇不同源表、夾具等

統(tǒng)具體配置由用戶自行選擇，以車(chē)規(guī)IGBT為例，一般配置如下：

產(chǎn)品應(yīng)用

功率器件如二極管、三極管、MOS管、IGBT、SIC、GaN；