全自動(dòng)單雙面接近式曝光機(jī)，兼容方形片光刻    4-12寸晶圓單、雙面曝光機(jī)   定制型

主要應(yīng)用：MEMS制造、CMOS圖像傳感器、存儲(chǔ)器、聲波器件、微流體芯片、化合物半導(dǎo)體、  晶圓級(jí)*封裝、（TSV）等領(lǐng)域。

技術(shù)參數(shù)：

1．工作方式：裝載機(jī)械手將晶圓片從 A 晶圓盒自動(dòng)裝載至預(yù)定位工作臺(tái)，經(jīng)過(guò)定位傳感器及自動(dòng)旋轉(zhuǎn)系統(tǒng)的調(diào)節(jié)，實(shí)現(xiàn)工件的預(yù)定位；裝載機(jī)械手再將完成預(yù)定位后的晶圓片裝載至對(duì)準(zhǔn)工作臺(tái)，經(jīng)過(guò)計(jì)算機(jī)圖像識(shí)別及自動(dòng)對(duì)準(zhǔn)系統(tǒng)的調(diào)節(jié)，實(shí)

現(xiàn)掩模版上圖形與晶圓片上的圖形的自動(dòng)對(duì)準(zhǔn)，也可以不用對(duì)位圖形完成一次曝光，經(jīng)過(guò)曝光系統(tǒng)的自動(dòng)曝光后，再由卸載機(jī)械手將晶圓片自動(dòng)放入 B 晶圓盒，直至整個(gè)晶圓盒內(nèi)的晶圓全部完成套刻曝光。

2．曝光面積： 定制

3．曝光照度不均勻性：≤3%；

4．曝光強(qiáng)度：0～≥50mw/cm2可調(diào)；

5．紫外光束角：≤3°（可選 2?或 1°相對(duì)曝光照度會(huì)變?nèi)酰?/p>

6．紫外光中心波長(zhǎng)：365nm；（可選汞燈全波段）

7．紫外光源壽命：≥2 萬(wàn)小時(shí)；

8．分離量：0～≥1090um 可調(diào)；

9．對(duì)準(zhǔn)精度：≤1μm；

10．曝光方式：硬接觸、軟接觸和接近式曝光；

11. 曝光模式：可選擇一次曝光或套刻曝光

12. 定位傳感器及自動(dòng)旋轉(zhuǎn)系統(tǒng)（含預(yù)訂位工作臺(tái)）：旋轉(zhuǎn)角度 Q≥±180°旋

轉(zhuǎn)精度 Q≤0.001°；

13．圖像識(shí)別及自動(dòng)對(duì)準(zhǔn)系統(tǒng)（含對(duì)準(zhǔn)工作臺(tái)）：對(duì)準(zhǔn)范圍 X.Y≥±5mm，升旋

轉(zhuǎn)角度 Q≥±3°，顯微鏡整體橫向相對(duì)移動(dòng)≥±70mm。

14．掩模版尺寸： 定制

15．晶圓尺寸： 定制

16.A.B 晶圓盒移動(dòng)：Z≥±100mm；

17．裝卸載機(jī)械手：X≥±100mm，Y≥±100mm,Z≥±20mm；

18.晶圓盒晶圓片數(shù)量：根據(jù)客戶(hù)晶圓盒晶圓數(shù)量定；

19．版架臺(tái)移動(dòng)：X.Y≥±3mm，Z≥±2mm；

20．曝光定時(shí)：0～999.9 秒可調(diào)；

21. 生產(chǎn)節(jié)拍：10 秒+曝光時(shí)間；

22．電源：?jiǎn)蜗?AC220V 50HZ ，功耗≤1KW；

23．潔凈空氣壓力：≥0.4MPa；

24．真空度：-0.07MPa～-0.09MPa；25．尺寸：1200*1000*1500mm ；

26．重量：約 200kg