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可控硅動態(tài)關(guān)斷時(shí)間測試設(shè)備

參考價(jià) 10000
訂貨量 ≥1
具體成交價(jià)以合同協(xié)議為準(zhǔn)
  • 公司名稱西安智盈電氣科技有限公司
  • 品       牌其他品牌
  • 型       號ZY-Drr
  • 所  在  地西安市
  • 廠商性質(zhì)生產(chǎn)廠家
  • 更新時(shí)間2025/6/13 13:37:34
  • 訪問次數(shù)76
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西安智盈電氣科技有限公司,是一家從事功率半導(dǎo)體測試設(shè)備自主研發(fā)制造與綜合測試分析服務(wù)的技術(shù)企業(yè),坐落于陜西省西安市西咸新區(qū)。核心業(yè)務(wù)為半導(dǎo)體功率器件測試設(shè)備的研制生產(chǎn),公司產(chǎn)品主要有:參數(shù)測試設(shè)備:靜態(tài)參數(shù),動態(tài)參數(shù)(開通關(guān)斷/反向恢復(fù)/短路/安全工作區(qū))測試 等);雪崩能力測試,老化及可靠性。參數(shù)測試設(shè)備:靜態(tài)參數(shù);動態(tài)參數(shù)(開通關(guān)斷/反向恢復(fù)/短路/安全工作區(qū))測試等);老化及可靠性二管及可控硅/晶閘管)參數(shù)測試設(shè)備:靜態(tài)參數(shù)測試;動態(tài)參數(shù)測試 ;浪涌參數(shù)測試;老化及可靠性測試(高溫阻斷);熱阻參數(shù)測試品以高度集成化、智能化、高速超寬測試范圍等競爭優(yōu)勢,將廣泛應(yīng)用于、器件設(shè)計(jì)、制造、封裝廠商及高校研究所等。

西安智盈電氣科技有限公司,是一家從事功率半導(dǎo)體測試設(shè)備自主研發(fā)制造與綜合測試分析服務(wù)的技術(shù)企業(yè),坐落于陜西省西安市西咸新區(qū)。核心業(yè)務(wù)為半導(dǎo)體功率器件測試設(shè)備的研制生產(chǎn),公司產(chǎn)品主要有:參數(shù)測試設(shè)備:靜態(tài)參數(shù),動態(tài)參數(shù)(開通關(guān)斷/反向恢復(fù)/短路/安全工作區(qū))測試 等);雪崩能力測試,老化及可靠性。參數(shù)測試設(shè)備:靜態(tài)參數(shù);動態(tài)參數(shù)(開通關(guān)斷/反向恢復(fù)/短路/安全工作區(qū))測試等);老化及可靠性二管及可控硅/晶閘管)參數(shù)測試設(shè)備:靜態(tài)參數(shù)測試;動態(tài)參數(shù)測試 ;浪涌參數(shù)測試;老化及可靠性測試(高溫阻斷);熱阻參數(shù)測試品以高度集成化、智能化、高速超寬測試范圍等競爭優(yōu)勢,將廣泛應(yīng)用于、器件設(shè)計(jì)、制造、封裝廠商及高校研究所等。


參數(shù)測試設(shè)備: 靜態(tài)參數(shù),動態(tài)參數(shù)(開通關(guān)斷/反向恢復(fù)/短路/安全工作區(qū))測試 等);雪崩能力測試,老化及可靠性。 參數(shù)測試設(shè)備: 靜態(tài)參數(shù);動態(tài)參數(shù)(開通關(guān)斷/反向恢復(fù)/短路/安全工作區(qū))測試等);老化及可靠性 二管及可控硅/晶閘管)參數(shù)測試設(shè)備: 靜態(tài)參數(shù)測試;動態(tài)參數(shù)測試 ;浪涌參數(shù)測試;老化及可靠性測試(高溫阻斷);熱阻參數(shù)測試 產(chǎn)品以高度集成化、智能化、高速超寬測試范圍等競爭優(yōu)勢,將廣泛應(yīng)用于、器件設(shè)計(jì)、制造、封裝廠商及高校研究所等
可控硅動態(tài)關(guān)斷時(shí)間測試設(shè)備主要完成功率器件的開通特性、關(guān)斷特性以及極限關(guān)斷特性參數(shù)的測試。
可控硅動態(tài)關(guān)斷時(shí)間測試設(shè)備 產(chǎn)品信息

可控硅動態(tài)關(guān)斷時(shí)間測試設(shè)備主要完成功率器件的開通特性、關(guān)斷特性以及極限關(guān)斷特性參數(shù)的測試。

本技術(shù)規(guī)格書ZY-Eon適用于IGCT功率半導(dǎo)體標(biāo)準(zhǔn)動態(tài)特性測試臺(下面簡稱測試臺),規(guī)定了測試臺的主要技術(shù)要求,參數(shù)范圍,操作流程,試驗(yàn)方法及檢驗(yàn)規(guī)則等。

本技術(shù)規(guī)范并未對一切技術(shù)細(xì)節(jié)做出規(guī)定,所提供的貨物應(yīng)符合工業(yè)標(biāo)準(zhǔn)和本技術(shù)規(guī)范中所提要求。

1.         引用標(biāo)準(zhǔn)[濱1]

GB/T 15291-2015 半導(dǎo)體器件 第6部分:晶閘管

JB/T 7624-2013 整流二極管測試方法

JB/T 7626-2013 反向阻斷三極晶閘管測試方法

以及國標(biāo)、IEC、IEEE相關(guān)標(biāo)準(zhǔn),以上標(biāo)準(zhǔn)均執(zhí)行新版本。如本技術(shù)規(guī)范與上述各標(biāo)準(zhǔn)之間有矛盾,則應(yīng)滿足較高標(biāo)準(zhǔn)。



2.         技術(shù)要求

序號

項(xiàng)目

參數(shù)

備注


1

常規(guī)開通

通態(tài)電流

范圍:200-10000A,連續(xù)可調(diào);


主電容電壓

范圍:300-7000V,連續(xù)可調(diào);




導(dǎo)通電流寬度設(shè)定范圍

10μs-5ms




上升時(shí)間測量范圍

0.01-20μs±3%±0.05μs




開通反饋延遲時(shí)間測量范圍

0.01-20μs±3%±0.05μs




開通延遲時(shí)間測量范圍

0.01-20μs±3%±0.05μs




開通能量測量范圍

0.01-200J±3%±0.1J




開通di/dt測量范圍

10-5000A/μs±3%±10A/μs




2

常規(guī)關(guān)斷

關(guān)斷電流

范圍:200-10000A,連續(xù)可調(diào);


關(guān)斷反饋延遲時(shí)間測量范圍

0.01-20μs±3%±0.05μs




關(guān)斷延遲時(shí)間測量范圍

0.01-40μs±3%±0.05μs




關(guān)斷能量測量范圍

0.01-1000J±3%±0.1J




斷態(tài)電壓上升率測量范圍

10-5000V/μs±3%±10V/μs




斷態(tài)電流下降率測量范圍

10-10000A/μs±3%±10A/μs




*主回路寄生電感

≤300nH




3

極限關(guān)斷

關(guān)斷電流

范圍:<20000A;

設(shè)備能力

4

數(shù)據(jù)采集和處理單元

示波器

帶寬不低于500MHz,采樣率不低于6.5Gs/s


試品控制方式

光纖控制




2.1.         自動恒溫壓力夾具

序號

項(xiàng)目

參數(shù)

備注

1

工作方式

自動,氣動


2

壓力范圍

10~130KN;分辨率0.1 KN,精度±5%±1KN。


3

溫度控制范圍

70~180℃,分辨率0.1℃;


高壓陽極控溫器采用非接觸式測溫


(天津科研院所)

[濱1]梳理本技術(shù)規(guī)格書引用到的標(biāo)準(zhǔn)
































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