技術參數

HBM 短路電流參數

放電電容

100 pF

放電電阻

1500 Ω

峰值電流Ips

0.17 A +10% @250 V

0.33 A +10% @500 V

0.67 A +10% @1000 V

1.33 A +10% @2000 V

2.67 A +10% @4000 V

上升時間

2 ns~10 ns

脈沖寬度

150 ns + 20 ns

振鈴幅度

<15%峰值電流

HBM 500歐電阻電流參數

峰值電流Ipr

375 mA~550 mA @ 1000V

1.5 A~2.2 A @ 4000V

Ipr/Ips

≥ 63%

上升時間

5 ns~25 ns

MM短路電流參數

放電電容

200 pF

放電電阻

0 Ω

峰值電流Ip1

0.44 A +20% @25 V

0.88 A +20% @50 V

1.75 A +10% @100 V

3.5 A +10% @200 V

7.0 A +10% @400 V

Ip2/Ip1

67%~90%

周期

66 ns~90 ns

MM 500歐電阻電流參數

峰值電流Ipr

0.85 A~1.2 A @ 400 V

100 ns電流值 I₁₀₀

0.23 A~0.40 A @ 400 V

I₂₀₀/I₁₀₀

30%~55%

通用參數

輸出電壓

HBM 5 V~8000 V (5%+5V)

MM  5 V~1000V (5%+5V)                                

極性

正、負或正負交替

頻率

0.1 Hz~5 Hz

觸發(fā)次數

1~999次

觸發(fā)方式

自動，手動，外觸發(fā)

輸入電源

AC 100 V ~240 V ，+10% 

50 Hz /60 Hz

環(huán)境溫度

15℃~35℃

儲藏溫度

-10℃~50℃

相對濕度

25%~75%

尺寸

450 mm x320 mm x190 mm(長x寬x高)

重量

約10 kg

附件

1.測試座 IC-DIP40

放置IC芯片使用

2.測試線

EDS 10IC-line1/line2

測試連接使用

說明書、電源線、接地線

選配件

測試座SCTS TO-56

放置TO56封裝被測設備使用