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如何選擇適合自己應(yīng)用場(chǎng)景的整流二極管模塊？2025/04/30: 選擇適合自己應(yīng)用場(chǎng)景的整流二極管模塊，需要考慮以下幾個(gè)關(guān)鍵因素：額定電壓工作電壓范圍：首先要明確應(yīng)用場(chǎng)景中的輸入電壓范圍。整流二極管模塊的額定電壓應(yīng)大于實(shí)際工作中可能出現(xiàn)的最大反向電壓，一般建議選擇額定電壓為實(shí)際工作電壓峰值的1.5到2倍以上，以確保模塊在各種工作條件下都能安全可靠地運(yùn)行。例如，在市電整流應(yīng)用中，市電電壓有效值為220V，其峰值約為311V，那么選擇的整流二極管模塊額定電壓應(yīng)不低于400V。電壓裕量：考慮到電路中可能存在的電壓波動(dòng)、浪涌等情況，需要預(yù)留一定的電壓裕量。對(duì)于一些電壓

工業(yè)自動(dòng)化領(lǐng)域：整流二極管模塊的關(guān)鍵角色2025/04/30: 在工業(yè)自動(dòng)化領(lǐng)域，整流二極管模塊猶如幕后的無(wú)名英雄，默默地發(fā)揮著關(guān)鍵作用，支撐著整個(gè)工業(yè)自動(dòng)化系統(tǒng)的高效運(yùn)行。隨著工業(yè)自動(dòng)化程度的不斷提高，對(duì)電力供應(yīng)的穩(wěn)定性、高效性和精確性提出了更高的要求，而整流二極管模塊正是滿足這些要求的核心組件之一。?一、工業(yè)自動(dòng)化系統(tǒng)中的電力需求特點(diǎn)?工業(yè)自動(dòng)化系統(tǒng)涵蓋了眾多復(fù)雜的設(shè)備和工藝流程，從精密的傳感器、控制器到大型的電機(jī)驅(qū)動(dòng)系統(tǒng)，不同設(shè)備對(duì)電力的需求千差萬(wàn)別。但總體而言，具有以下顯著特點(diǎn)：?穩(wěn)定性要求高：自動(dòng)化設(shè)備需要持續(xù)穩(wěn)定的電力供應(yīng)，任何電壓波動(dòng)或電流異常

英飛凌二極管有哪些特點(diǎn)及應(yīng)用2025/03/27: 產(chǎn)品特點(diǎn)與技術(shù)優(yōu)勢(shì)低電壓損耗與高效率Rapid1/2系列：采用低損耗垂直結(jié)構(gòu)和優(yōu)化單元設(shè)計(jì)，Rapid1系列正向電壓（VF）低至1.35V，顯著降低導(dǎo)通損耗；Rapid2系列專為40-100kHz高頻應(yīng)用設(shè)計(jì)，反向恢復(fù)電荷（Qrr）和時(shí)間（trr）極低，減少電磁干擾（EMI）。CoolSiC™肖特基二極管：基于碳化硅（SiC）材料，無(wú)反向恢復(fù)電流，正向電壓低，適用于高直流母線電壓場(chǎng)景（如光伏、電動(dòng)汽車(chē)充電），效率提升顯著?？焖匍_(kāi)關(guān)與軟恢復(fù)特性部分二極管采用軟恢復(fù)技術(shù)，降低開(kāi)關(guān)過(guò)程中的電壓尖峰，提

聊聊IGBT驅(qū)動(dòng)板2025/03/27: 功能驅(qū)動(dòng)與控制將控制系統(tǒng)的低電壓、低電流邏輯信號(hào)轉(zhuǎn)換為高電壓、高電流驅(qū)動(dòng)信號(hào)，精確控制IGBT的導(dǎo)通與關(guān)斷。支持PWM脈沖調(diào)制，實(shí)現(xiàn)開(kāi)關(guān)頻率可調(diào)，適應(yīng)不同負(fù)載需求。電氣隔離隔離式驅(qū)動(dòng)：采用光耦、磁隔離或變壓器隔離技術(shù)，阻斷高壓側(cè)與低壓側(cè)的電氣連接，防止噪聲干擾和高壓串?dāng)_。非隔離式驅(qū)動(dòng)：適用于低壓、小功率場(chǎng)景，結(jié)構(gòu)簡(jiǎn)單但安全性較低。保護(hù)功能過(guò)流保護(hù)：監(jiān)測(cè)IGBT電流，超過(guò)閾值時(shí)觸發(fā)保護(hù)機(jī)制（如降低驅(qū)動(dòng)電壓或切斷電源）。過(guò)壓保護(hù)：通過(guò)電壓比較器檢測(cè)過(guò)壓信號(hào)，保護(hù)IGBT免受損壞。過(guò)溫保護(hù)：集成溫度傳

淺談ELECTRONICON電容的特點(diǎn)和應(yīng)用2024/12/25: 一、基本概念電容，全稱為電容器，是一種能夠儲(chǔ)存電荷的元件。它通常由兩個(gè)相互靠近但不接觸的導(dǎo)體(稱為極板)以及它們之間的絕緣介質(zhì)組成。當(dāng)兩個(gè)極板分別連接到電源的正負(fù)極時(shí)，極板上的電荷會(huì)開(kāi)始積累，形成電場(chǎng)，這個(gè)電場(chǎng)就是電容儲(chǔ)存能量的方式。電容的大小，即其儲(chǔ)存電荷的能力，通常用電容值來(lái)表示，單位為法拉(F)。然而，在實(shí)際應(yīng)用中，由于法拉單位的電容值過(guò)大，通常使用微法拉(μF)、納法拉(nF)或皮法拉(pF)等更小的單位來(lái)表示。二、ELECTRONICON電容的特點(diǎn)高精度：ELECTRONICON電容具

聊聊IGBT模塊2024/12/25: 工作原理基于其半導(dǎo)體特性，即非通即斷的開(kāi)關(guān)特性。在模塊內(nèi)部，搭建起若干個(gè)IGBT芯片單元的并串聯(lián)結(jié)構(gòu)。當(dāng)直流電通過(guò)模塊時(shí)，通過(guò)不同開(kāi)關(guān)組合的快速開(kāi)斷，來(lái)改變電流的流出方向和頻率，從而輸出得到所需的交流電。組成與特點(diǎn)組成：IGBT模塊由IGBT芯片和FWD芯片組成，通過(guò)特定的電路橋接封裝而成。IGBT芯片結(jié)合了MOSFET(金屬氧化物半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)晶體管)和雙極型晶體管的特性，具有高效率、高速開(kāi)關(guān)和大電流承受能力等優(yōu)點(diǎn)。特點(diǎn)：1、節(jié)能：IGBT模塊具有較高的能量轉(zhuǎn)換效率，能夠顯著降低能耗。2、安裝維

可控硅模塊在使用中，有哪些注意事項(xiàng)2024/05/28: 簡(jiǎn)介：是一種半導(dǎo)體器件，具有控制正半周或負(fù)半周的導(dǎo)電特性，被廣泛應(yīng)用于電子設(shè)備中。其基本原理是利用PNPN結(jié)的瞬時(shí)性質(zhì)，通過(guò)控制晶體管的控制電壓，使其導(dǎo)通或者阻斷。優(yōu)點(diǎn)1.高耐壓：可控硅模塊可以承受較高的電壓，因此適用于高壓電力系統(tǒng)。2.大電流：可控硅模塊可以承受較大的電流，因此適用于大功率電力系統(tǒng)。3.快速開(kāi)關(guān)：可控硅模塊的開(kāi)關(guān)速度較快，因此可以減少開(kāi)關(guān)損耗，提高電力系統(tǒng)的效率。4.維護(hù)簡(jiǎn)單：可控硅模塊的結(jié)構(gòu)簡(jiǎn)單，因此維護(hù)起來(lái)相對(duì)容易。使用注意事項(xiàng)：1、在選擇可控硅的額定電流時(shí)，除了要考慮通過(guò)

ASC風(fēng)電補(bǔ)償電容有哪些注意事項(xiàng)2024/05/28: 原理：1.儲(chǔ)存電能：當(dāng)系統(tǒng)中的電力需求低于發(fā)電機(jī)的輸出功率時(shí)，電容器可儲(chǔ)存多余的電能，以備系統(tǒng)需要時(shí)釋放。2.釋放電能：當(dāng)系統(tǒng)中的電力需求超過(guò)發(fā)電機(jī)輸出功率時(shí)，電容器可以快速釋放儲(chǔ)存的電能，以彌補(bǔ)系統(tǒng)能量缺陷，使電網(wǎng)電力平衡。3.保護(hù)風(fēng)電機(jī)組：電容器可穩(wěn)定電源，保護(hù)風(fēng)電機(jī)組免受電網(wǎng)波動(dòng)的影響，使其在不受損害的情況下運(yùn)行。使用注意事項(xiàng)：1、電容補(bǔ)償裝置具體操作時(shí)應(yīng)注意以下事項(xiàng)：任何額定電壓的電容器組，均禁止帶電荷合閘;電容器組每次重新合閘，必須在其放電結(jié)束后進(jìn)行;在補(bǔ)償裝置的開(kāi)關(guān)上禁止裝設(shè)重合閘裝

晶閘管并聯(lián)應(yīng)用要點(diǎn)2024/05/16: 我們知道所有并聯(lián)最終我們有個(gè)重要目的，就是流過(guò)并聯(lián)支路的電流盡量都是相等的，特別是在負(fù)溫度系數(shù)的功率器件中更為關(guān)鍵，比如二極管和晶閘管應(yīng)用中。對(duì)于整流二極管并聯(lián)，為了使電流均勻分布，對(duì)于并聯(lián)的二極管盡可能保證對(duì)稱性，包括連接點(diǎn)，線組長(zhǎng)度、，從而保證回路阻抗盡可能相近。在晶閘管并聯(lián)中，從它被激發(fā)到整個(gè)導(dǎo)通過(guò)程中，電流的均勻分布是必要的?？傮w上，我們需要注意以下幾點(diǎn)：1、主電路阻抗的對(duì)稱性。這個(gè)就要求母排或功率銅排結(jié)構(gòu)對(duì)稱，大小厚度一直，回路長(zhǎng)度一直。這個(gè)比較容易理解，就是開(kāi)通后要保證不因?yàn)橥獠侩娐?

聊聊西門(mén)子緩沖電阻2024/03/01: 簡(jiǎn)介：緩沖電阻是一種阻值較大的電阻器，主要用于電路中的過(guò)渡性連接，作為電路中與電源的接口。緩沖電阻具有較高的電阻值和精度，能夠提供穩(wěn)定的電阻值，使電路能夠正常工作。作用：平衡電壓波動(dòng)：變頻器控制系統(tǒng)的電源電壓可能波動(dòng)，這會(huì)影響系統(tǒng)的工作穩(wěn)定性。緩沖電阻可以平滑這些電壓波動(dòng)，確保變頻器及其他組件的正常運(yùn)作。減少電流峰值：電機(jī)在啟動(dòng)或運(yùn)行過(guò)程中會(huì)產(chǎn)生較大的電流峰值，這可能導(dǎo)致電路短路或電機(jī)過(guò)載等問(wèn)題。緩沖電阻有助于減少這種峰值電流的產(chǎn)生，從而維持系統(tǒng)的穩(wěn)定性和安全性。保護(hù)電容：在變頻器中，電容用于存

CM200DU-24H三菱IGBT模塊適用于哪些地方2016/06/27: CM200DU-24H三菱IGBT模塊，絕緣柵雙極型晶體管，是由BJT（雙極型三極管）和MOS（絕緣柵型場(chǎng)效應(yīng)管）組成的復(fù)合全控型電壓驅(qū)動(dòng)式功率半導(dǎo)體器件，兼有MOSFET的高輸入阻抗和GTR的低導(dǎo)通壓降兩方面的優(yōu)點(diǎn)。GTR飽和壓降低，載流密度大，但驅(qū)動(dòng)電流較大；MOSFET驅(qū)動(dòng)功率很小，開(kāi)關(guān)速度快，但導(dǎo)通壓降大，載流密度小。IGBT綜合了以上兩種器件的優(yōu)點(diǎn)，驅(qū)動(dòng)功率小而飽和壓降低。CM200DU-24H三菱IGBT模塊非常適合應(yīng)用于直流電壓為600V及以上的變流系統(tǒng)如交流電機(jī)、變頻器、開(kāi)關(guān)電源

IGBT模塊驅(qū)動(dòng)及保護(hù)技術(shù)2016/04/29: 1引言IGBT是MOSFET與雙極晶體管的復(fù)合器件。它既有MOSFET易驅(qū)動(dòng)的特點(diǎn)，又具有功率晶體管電壓、電流容量大等優(yōu)點(diǎn)。其頻率特性介于MOSFET與功率晶體管之間，可正常工作于幾十kHz頻率范圍內(nèi)，故在較高頻率的大、中功率應(yīng)用中占據(jù)了主導(dǎo)地位。IGBT是電壓控制型器件，在它的柵極-發(fā)射極間施加十幾V的直流電壓，只有μ*的漏電流流過(guò)，基本上不消耗功率。但I(xiàn)GBT的柵極-發(fā)射極間存在著較大的寄生電容（幾千至上萬(wàn)pF），在驅(qū)動(dòng)脈沖電壓的上升及下降沿需要提供數(shù)A的充放電電流，才能滿足開(kāi)通和關(guān)斷的動(dòng)態(tài)

IGBT模塊過(guò)流保護(hù)的兩種情況介紹2015/09/15: 生產(chǎn)廠家對(duì)IGBT模塊提供的安全工作區(qū)有嚴(yán)格的限制條件，且IGBT模塊承受過(guò)電流的時(shí)間僅為幾微秒，耐過(guò)流量小，因此使用IGBT模塊首要注意的是過(guò)流保護(hù)。產(chǎn)生過(guò)流的原因大致有：晶體管或二極管損壞、控制與驅(qū)動(dòng)電路故障或干擾等引起誤動(dòng)、輸出線接錯(cuò)或絕緣損壞等形成短路、輸出端對(duì)地短路與電機(jī)絕緣損壞、逆變橋的橋臂短路等。對(duì)IGBT模塊的過(guò)流檢測(cè)保護(hù)分兩種情況：(1)、驅(qū)動(dòng)電路中無(wú)保護(hù)功能。這時(shí)在主電路中要設(shè)置過(guò)流檢測(cè)器件。對(duì)于小容量變頻器，一般是把電阻R直接串接在主電路中，通過(guò)電阻兩端的電壓來(lái)反映電流的大

可控硅與晶閘管的區(qū)別及發(fā)展應(yīng)用2015/08/13: 可控硅模塊屬于功率器件領(lǐng)域，是一種功率半導(dǎo)體開(kāi)關(guān)元件，又叫做晶閘管，可控硅是簡(jiǎn)稱。按其工作特性，可控硅可分為單向可控硅(SCR)和雙向可控硅(TRIAC)。可控硅也稱作晶閘管，它是由PNPN四層半導(dǎo)體構(gòu)成的元件，有三個(gè)電極、陽(yáng)極A、陰極K和控制極G。可控硅在電路中能夠?qū)崿F(xiàn)交流電的無(wú)觸點(diǎn)控制，以小電流控制大電流，并且不象繼電器那樣控制時(shí)有火花產(chǎn)生，且動(dòng)作快、壽命長(zhǎng)、可靠性好。在調(diào)速、調(diào)光、調(diào)壓、調(diào)溫以及其他各種控制電路中都有可控硅的身影?？煽毓璺譃閱蜗虻暮碗p向的，符號(hào)也不同。單向可控硅有三個(gè)PN結(jié)

IGBT模塊的散熱技術(shù)發(fā)展2015/04/15: IGBT模塊散熱技術(shù)散熱的過(guò)程1IGBT在結(jié)上發(fā)生功率損耗;2結(jié)上的溫度傳導(dǎo)到IGBT模塊殼上;3IGBT模塊上的熱傳導(dǎo)散熱器上;4散熱器上的熱傳導(dǎo)到空氣中。散熱環(huán)節(jié)影響散熱程度影響因數(shù)解決辦法1總發(fā)熱功率zui主要因數(shù)運(yùn)行電流電壓改變電壓電流開(kāi)關(guān)頻率2結(jié)殼熱阻次要模塊工藝3殼到散熱器熱阻次要散熱器材料粘貼材料4散熱器到環(huán)境熱阻zui要散熱方式散熱材料散熱方式散熱材料如果IGBT模塊一定時(shí)，IGBT結(jié)殼之間的熱阻一定，IGBT殼與散熱器的熱阻與散熱器材料和接觸程度兩個(gè)方面有關(guān)，但此處熱阻較小，散

簡(jiǎn)單分析晶閘管損壞的原因2014/12/04: 晶閘管是晶體閘流管的簡(jiǎn)稱，又可稱做可控硅整流器，以前被簡(jiǎn)稱為可控硅；1957年美國(guó)通用電器公司開(kāi)發(fā)出世界上*晶閘管產(chǎn)品，并于1958年使其商業(yè)化；晶閘管是PNPN四層半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)，它有三個(gè)極：陽(yáng)極，陰極和門(mén)極；晶閘管工作條件為：加正向電壓且門(mén)極有觸發(fā)電流；其派生器件有：快速晶閘管，雙向晶閘管，逆導(dǎo)晶閘管，光控晶閘管等。它是一種大功率開(kāi)關(guān)型半導(dǎo)體器件，在電路中用文字符號(hào)為“V”、“VT”表示。晶閘管屬于硅元件，很多人也稱它為“可控硅”。硅元件的普遍特性是過(guò)載能力差，因此在使用過(guò)程中經(jīng)常會(huì)發(fā)生燒壞晶閘

IGBT模塊的分類2014/10/09: 研發(fā)進(jìn)展IGBT（絕緣柵雙極晶體管）作為新型電力半導(dǎo)體場(chǎng)控自關(guān)斷器件，集功率MOSFET的高速性能與雙極性器件的低電阻于一體，具有輸進(jìn)阻抗高，電壓控制功耗低，控制電路簡(jiǎn)單，耐高壓，承受電流大等特性，在各種電力變換中獲得極廣泛的應(yīng)用。與此同時(shí)，各大半導(dǎo)體生產(chǎn)廠商不斷開(kāi)發(fā)IGBT的高耐壓、大電流、高速、低飽和壓降、高可靠、低本錢(qián)技術(shù)，主要采用1um以下制作工藝，研制開(kāi)發(fā)取得一些新進(jìn)展。1、低功率IGBTIGBT應(yīng)用范圍一般都在600V、1KA、1KHz以上區(qū)域，為滿足家電行業(yè)的發(fā)展需求，摩托羅拉、S

富士功率模塊選型簡(jiǎn)介2014/07/16: 富士功率模塊選型簡(jiǎn)介一、PIM模塊為了降低變頻駱的成本，并減少變頻器的尺寸。寓士電機(jī)和歐派克采用PIM模塊結(jié)構(gòu)。包括三相全波整流和6—7個(gè)IGBT。即變頻器的主回路全部安裝在一個(gè)模塊上，在小功率變頻器內(nèi)（11KW以下）均用PIM模塊較為合算。富士電機(jī)現(xiàn)正常供貨的是S系列7個(gè)單元IGBT。在中國(guó)市場(chǎng)上己用了幾年時(shí)間。應(yīng)用技術(shù)亦比較成熟。而U系列的PIM模塊供貨現(xiàn)尚在努力之中．現(xiàn)主要推出S系列五種型號(hào)——面向小功率變頻器。二、U系列IGBT模塊U系列為富士電機(jī)第五代IGBT模塊。采用FS新技術(shù)，是針

IGBT原理，作用，運(yùn)用2013/10/31: IGBT（InsulatedGateBipolarTransistor），絕緣柵雙極型晶體管，是由BJT（雙極型三極管）和MOS（絕緣柵型場(chǎng)效應(yīng)管）組成的復(fù)合全控型電壓驅(qū)動(dòng)式功率半導(dǎo)體器件,兼有MOSFET的高輸入阻抗和GTR的低導(dǎo)通壓降兩方面的優(yōu)點(diǎn)。GTR飽和壓降低，載流密度大，但驅(qū)動(dòng)電流較大;MOSFET驅(qū)動(dòng)功率很小，開(kāi)關(guān)速度快，但導(dǎo)通壓降大，載流密度小。IGBT綜合了以上兩種器件的優(yōu)點(diǎn)，驅(qū)動(dòng)功率小而飽和壓降低。非常適合應(yīng)用于直流電壓為600V及以上的變流系統(tǒng)如交流電機(jī)、變頻器、開(kāi)關(guān)電源、照

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