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意法半導(dǎo)體全新推出無線產(chǎn)品射頻前端技術(shù)平臺

2013年06月27日 19:07:05人氣:1284來源:

  工控摘要:隨著消費者對高速無線寬頻網(wǎng)路的需求迅速成長,智能手機和平板電腦等裝置需要采用更復(fù)雜的電路。
  
  為滿足這一市場需求,提高移動裝置射頻(RF,radiofrequency)前端的性能,并縮減電路尺寸,橫跨多重電子應(yīng)用領(lǐng)域、的半導(dǎo)體供應(yīng)商意法半導(dǎo)體(STMicroelectronics,簡稱ST;紐約證券交易所代碼:STM)發(fā)布全新、優(yōu)化*工藝。
  
  無線裝置RF前端電路通常采用獨立的放大器、開關(guān)和調(diào)諧器。隨著4G移動通信和Wi-Fi(IEEE802.11ac)等新高速標準開始使用多頻技術(shù)提高數(shù)據(jù)吞吐量,的移動裝置需要增加前端電路。現(xiàn)有的3G手機可支援5個頻段,而下一代4GLTE標準3GPP可支援高達40個頻段。傳統(tǒng)的離散元件會大幅增加裝置尺寸,而意法半導(dǎo)體的新工藝H9SOI_FEM可制造并整合全部前端功能模組。
  
  這項工藝是H9SOI硅絕緣層金氧半電晶體元件工藝的進化。意法半導(dǎo)體于2008年成功研發(fā)了這一具突破性的H9SOI技術(shù),隨后客戶運用這項技術(shù)研發(fā)了4億多顆手機和Wi-FiRF開關(guān)。憑借在這一領(lǐng)域的研發(fā)經(jīng)驗,為研發(fā)整合前端模組,意法半導(dǎo)體優(yōu)化了H9SOI工藝,推出了H9SOI_FEM,為天線開關(guān)和天線調(diào)諧器提供業(yè)界*的品質(zhì)因數(shù)(RonxCoff=207fs)。意法半導(dǎo)體同時投資擴大產(chǎn)能,以滿足客戶的zui大需求。
  
  從商業(yè)角度來看,高速多頻智能手機的拉動市場對RF前端元件(特別是整合模組)的需求迅速成長,根據(jù)Prismark的分析報告顯示,智能手機的RF前端元件數(shù)量大約是入門級2G/3G手機的3倍,目前智能手機年銷量超過10億臺,成長速度約30%。此外,OEM廠商要求芯片廠商提供更小、更薄、能效更高的元件。意法半導(dǎo)體看好離散元件以及整合模組的市場前景,如運用意法半導(dǎo)體新推出的工藝H9SOI_FEM整合功率放大器和開關(guān)的RF模組和整合功率放大器、開關(guān)和調(diào)諧器的模組。
  
  意法半導(dǎo)體混合信號工藝產(chǎn)品部總FlavioBenetti表示:“H9SOI_FEM工藝讓客戶能夠研發(fā)的尺寸,相當于目前前端解決方案的二分之一或更小的前端模組,此外,我們還開發(fā)出一個簡化的供貨流程,可大幅縮短供貨周期,提高供貨靈活性,這對市場上終端用戶至關(guān)重要。”
  
  目前意法半導(dǎo)體正與客戶合作使用H9SOI_FEM開發(fā)新設(shè)計。預(yù)計2013年年底投入量產(chǎn)。
  
  技術(shù)細節(jié):
  
  H9SOI_FEM是一個閘寬0.13μm的1.2V和2.5V雙閘MOSFET技術(shù)。與制造RF開關(guān)等離散元件的傳統(tǒng)SOI工藝不同,H9SOI_FEM可支援多項技術(shù),如GO1MOS、GO2MOS和優(yōu)化的NLDMOS,這些特性讓H9SOI_FEM可支援單芯片整合RF前端的全部主要功能,包括RF開關(guān)、低噪音放大器(LowNoiseAmplifier,LNA)、無線多模式、多頻功率放大器(PowerAmplifier,PA)、雙訊器(diplexer)、RF耦合器、天線調(diào)諧器和RF能源管理功能。
  
  GO1MOS是高性能LNA技術(shù),能夠承受極低的噪音系數(shù)(1.4dB@5GHz),提供60GHz的閾頻率(Ft),為5GHz設(shè)計提供較高的安全系數(shù)。
  
  GO2CMOS和GO2NMOS被廣泛用于研發(fā)RF開關(guān),讓意法半導(dǎo)體的工藝為天線開關(guān)和天線調(diào)諧器提供業(yè)界的品質(zhì)因數(shù)(RonxCoff=207fs)。
  
  GO2高壓MOS可整合功率放大器和能源管理功能。在飽合低頻帶GSM功率條件下,優(yōu)化的NLDMOS技術(shù)使功率放大器的Ft達到36GHz,開關(guān)效率達到60%。關(guān)于能源管理,PLDMOS技術(shù)的擊穿電壓(breakdownvoltage)為12V,可直接連接電池。
  
  必要時在三層或四層鋁和厚銅層上沉積,還可提高整合被動元件的性能。
  
  H9SOI_FEM既適用于重視低成本和高整合度的低階市場,又適用于高階智能手機市場。高階產(chǎn)品通常要求整合多頻段,不僅可支援2G、3G和4G標準,還可支援其它的無線連接標準,如藍牙、Wi-Fi、GPS和用于非接觸式支付的近距離無線通信(NFC,NearFieldCommunication)
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