即將召開(kāi)的電子器件大會(huì)（IEDM）其主旨在于突出電力研究領(lǐng)域的進(jìn)展。

    Cornell大學(xué)將介紹基于放射性同位素兼容CMOS的鐵電氮化鋁（AlN）發(fā)電機(jī)的進(jìn)展。他們聲稱(chēng)該設(shè)備能夠?yàn)橐粋€(gè)無(wú)線傳感器節(jié)點(diǎn)供電力達(dá)10年之久。

    Cornell在IEDM將介紹AlN放射性同位元素發(fā)電機(jī)的產(chǎn)品。它象征著MEMS和兼容CMOS的發(fā)電機(jī)集成的新水平。AlN發(fā)電機(jī)包含三個(gè)輸出端口，以驅(qū)動(dòng)無(wú)線傳感器節(jié)點(diǎn)。該發(fā)電機(jī)還展示了基于鎳同位元素（Ni-63）的放射性薄膜能被安全的用于為無(wú)線傳感器節(jié)點(diǎn)供電。Cornell研究小組將Ni-63限制為研究目的。集成更高功率密度放射性薄膜如Pe-147或氚將有可能提供上千倍的輸出功率。

    放射性同位元素Ni-63的薄膜產(chǎn)生用于發(fā)電的Beta微粒。這些微粒撞擊AlN化合物制成的懸梁。在電荷分離后，電荷累積，靜電吸引將懸梁拉向Ni-63薄膜。接觸后，電荷釋放掉，懸梁恢復(fù)到初始位置。這一周期經(jīng)過(guò)重復(fù)，使懸梁產(chǎn)生振蕩。由于鐵電材料如AlN在受到機(jī)械應(yīng)力時(shí)產(chǎn)生電壓，該振蕩就產(chǎn)生持續(xù)電壓。

    日本東京大學(xué)的研究人員將作一有關(guān)輸電板研究進(jìn)展的報(bào)告。該柔性板能選擇性的為放置在板上的電子設(shè)備供電。板有1mm厚，重50克，包含8×8單元陣列，包含能感知位置和傳輸?shù)牟考?。有效功率傳輸面積為21×21cm2。板上物體的位置由使用有機(jī)有源晶體管矩陣的電磁耦合感應(yīng)。由印刷塑料MEMS開(kāi)關(guān)矩陣驅(qū)動(dòng)的銅線圈將電能輸送到器件。功率傳輸只有當(dāng)物體被感知時(shí)才發(fā)生，因此凈功率耦合效率達(dá)62.3%。