工控摘要：近日，英飛凌科技股份公司推出200V和250VOptiMOSTMFD，進一步完善了中壓產(chǎn)品組合。作為針對體二極管硬式整流進行優(yōu)化的一代功率MOSFET，這些器件更加可靠耐用，具有更低的過沖電壓和更低的反向恢復(fù)損耗，有助于實現(xiàn)zui可靠的系統(tǒng)。
　　
　　提高可靠性，同時節(jié)省成本
　　
　　OptiMOSFD家族具備針對zui高性能標準而優(yōu)化的反向恢復(fù)電荷(Qrr)。相比標準的200V和250VOptiMOS，200V和250VOptiMOSFD的Qrr降低了40%。這意味著通過降低過沖電壓大幅提升了系統(tǒng)可靠性，從而zui大限度地減少了對緩沖電路的需求。
　　
　　英飛凌科技系統(tǒng)業(yè)務(wù)部門直流/直流業(yè)務(wù)主管RichardKuncic表示：“英飛凌再一次突破了200V和250V電壓級產(chǎn)品的極限。設(shè)立新的基準是我們不懈奮進的動力。OptiMOSFD家族秉承了我們充分利用開關(guān)性能的成功之道。這個一代功率MOSFET能為我們的客戶節(jié)省工程設(shè)計費用，減輕設(shè)計工作量，特別是在硬開關(guān)應(yīng)用中。”
　　
　　簡單又
　　
　　相比當前市場上現(xiàn)有的200V和250V產(chǎn)品，全新OptiMOSFD改善了硬換向耐用性，從而可以在更為苛刻的條件下使用，如更高dv/dt、di/dt和電流密度。這樣一來，其使用非常簡便，簡化了設(shè)計流程。
　　
　　此外，相比于可替代的器件，OptiMOSFD的導(dǎo)通電阻(RDS(on))zui多可降低45%，F(xiàn)OM(QgxRdson)zui多可降低65%，從而可以實現(xiàn)zui高的效率和功率密度。