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摘 要:為了能夠較好地利用EMTP(Electro-Magnetic Tran-sient Program)程序?qū)?/font>隔離開關(guān)母線充電電流開合全過(guò)程進(jìn)行計(jì)算,作者對(duì)被試隔離開關(guān)進(jìn)行了一系列試驗(yàn),得到了隔離開關(guān)擊穿電壓與操作時(shí)間關(guān)系的特性,利用這一特性作者對(duì)GIS隔離開關(guān)開合母線充電電流試驗(yàn)的三種試驗(yàn)方式進(jìn)行了計(jì)算并得到了很多有益結(jié)論。
在每一個(gè)電壓跳變處將產(chǎn)生一個(gè)階躍電壓波,對(duì)正常設(shè)計(jì)的GIS,估計(jì)這一上升時(shí)間zui快可達(dá)3ns[4]。由于這一過(guò)電壓的上升速率極快,因此被稱做陡波前過(guò)電壓(Very Fast Front Overvoltage 簡(jiǎn)稱VFFO),也有些文獻(xiàn)稱這種過(guò)電壓為特快速暫態(tài)過(guò)電壓(Very Fast Transients Overvoltage 簡(jiǎn)稱為VFTO)。這樣的階躍電壓波不斷地產(chǎn)生、來(lái)回地傳播,并且發(fā)生復(fù)雜的折射、反射和疊加就構(gòu)成了GIS中的(Very Fast Transients)現(xiàn)象。
2 試驗(yàn)簡(jiǎn)介
試驗(yàn)方式1是用被試隔離開關(guān)DT開合一段短負(fù)荷母線(DT與DA之間的母線)。在進(jìn)行合閘操作前,負(fù)荷側(cè)母線必須充以表1規(guī)定的直流電壓,然后直流電壓源用輔助隔離開關(guān)DA斷開。由于GIS母線泄露電阻很大,負(fù)荷側(cè)母線將保持這一電壓不變,這時(shí)將電源側(cè)(DT左側(cè))電壓升至試驗(yàn)電壓,zui后關(guān)合被試隔離開關(guān)DT。
由于負(fù)荷側(cè)母線已經(jīng)預(yù)充了負(fù)的直流電壓,隔離開關(guān)將在電源側(cè)電壓峰值處附近擊穿,產(chǎn)生VFFO。開斷試驗(yàn)時(shí),DA打開,DT處于合閘位置,電源電壓升至,打開DT即可。
需要說(shuō)明的是,在隔離開關(guān)開斷時(shí),隨著隔離開關(guān)觸頭距離的增加,擊穿電壓也在不斷上升,所以zui后階段重燃的過(guò)電壓是zui高的(參見(jiàn)圖1)。其極限情況是zui后一次重燃前負(fù)荷側(cè)母線殘留電壓為相電壓峰值,而zui后一次重燃又正好發(fā)生在電源側(cè)電壓反極性峰值處,但這種概率是不大的。而標(biāo)準(zhǔn)規(guī)定的關(guān)合試驗(yàn)條件考慮的即為這一苛刻狀況,也就是說(shuō)在方式1中,合閘產(chǎn)生的過(guò)電壓相對(duì)來(lái)說(shuō)比較穩(wěn)定,這是由于負(fù)載側(cè)預(yù)充了直流電壓。而分閘過(guò)電壓隨機(jī)性比較強(qiáng),合閘過(guò)電壓比分閘過(guò)電壓要高。
IEC61259對(duì)此項(xiàng)試驗(yàn)規(guī)定了三種試驗(yàn)方式,但若對(duì)三種試驗(yàn)方式都進(jìn)行試驗(yàn)是非常困難的(具體要求參見(jiàn)文獻(xiàn)[5,6]。由于只有試驗(yàn)方式1是強(qiáng)制性的,因此只對(duì)方式1進(jìn)行了試驗(yàn)。
此次500kV GIS 隔離開關(guān)共進(jìn)行了200次關(guān)合試驗(yàn)和100次開斷試驗(yàn),取得了大量的數(shù)據(jù)。其中測(cè)得的zui大過(guò)電壓出現(xiàn)在合閘負(fù)荷側(cè),為1189kV(2.4p.u.)。具體情況參見(jiàn)文獻(xiàn)[7]。
3 計(jì)算模型的確定
3.1 計(jì)算模型
研究表明利用計(jì)算機(jī)進(jìn)行模擬計(jì)算是比較有效的[8],只是在計(jì)算前必須根據(jù)自己產(chǎn)品的特點(diǎn),試驗(yàn)回路或變電站的具體情況,對(duì)模量損耗電阻、接地電阻等計(jì)算參數(shù)進(jìn)行一定的假設(shè),并且通過(guò)計(jì)算和實(shí)測(cè)來(lái)校正這些假設(shè),zui終才能達(dá)到比較準(zhǔn)確的計(jì)算。
EMTP程序包含有對(duì)有耦合的平行多導(dǎo)體系統(tǒng)暫態(tài)過(guò)程的計(jì)算,它采用相模變換方法,把有耦合的各平行導(dǎo)體相量上的傳輸參數(shù)變換成無(wú)耦合的各模量上的傳輸參數(shù),據(jù)此利用Bergeron法求出模量上的暫態(tài)過(guò)程解,再反變換求出相量上的暫態(tài)過(guò)程解。
利用EMTP程序進(jìn)行計(jì)算時(shí),必須輸入模量參數(shù)。本文使用電纜/GIS參數(shù)計(jì)算程序及EMTP程序?qū)?guó)外某公司試品進(jìn)行了模擬計(jì)算,并與其實(shí)測(cè)結(jié)果進(jìn)行了對(duì)比。
通過(guò)對(duì)比計(jì)算可以得出結(jié)論:利用GIS參數(shù)計(jì)算程序得出的衰減電阻太小,可能是因?yàn)閂FFT過(guò)程十分復(fù)雜,只通過(guò)簡(jiǎn)單的理論計(jì)算很難真實(shí)地反映GIS中的各種損耗。所以需要通過(guò)試驗(yàn)和計(jì)算的對(duì)比來(lái)調(diào)整參數(shù)的設(shè)置,才能使計(jì)算比較真實(shí)。本文采用了加大衰減電阻的方法使計(jì)算波形與實(shí)測(cè)波形從整體上看比較相似。
3.2 模擬計(jì)算與試驗(yàn)結(jié)果的對(duì)比 此次試驗(yàn)(方式1)的典型關(guān)合示波圖見(jiàn)圖3、圖4。圖3中1號(hào)線為負(fù)荷側(cè)VFFO 波形,2號(hào)線為電源側(cè)VFFO波形,圖4為隔離開關(guān)關(guān)合全過(guò)程示波圖。其中1號(hào)線為電源側(cè)電壓Vs,2號(hào)線為負(fù)荷側(cè)電壓V1。 需要說(shuō)明的是圖4中負(fù)荷側(cè)電壓(2號(hào)線)在隔離開關(guān)熄弧后并沒(méi)有保持一條直線,這是由于測(cè)量系統(tǒng)的輸入阻抗造成的衰減。 圖5是經(jīng)過(guò)多次調(diào)整后模擬計(jì)算的負(fù)荷側(cè)VFFO波形,與圖3的實(shí)測(cè)結(jié)果(1號(hào)線)從整體上看比較相似。計(jì)算過(guò)電壓為2.34p.u.,比實(shí)測(cè)zui大過(guò)電壓小3%。
4 多次重燃的研究 | |
1 SF6封閉式組合電器中的特快速暫態(tài)現(xiàn)象
近年來(lái),GIS在上得到了廣泛應(yīng)用。然而運(yùn)行經(jīng)驗(yàn)表明,GIS隔離開關(guān)在例行操作時(shí)不僅會(huì)在GIS主回路引起對(duì)地故障[1,2],而且還會(huì)造成相鄰設(shè)備(如變壓器等)的絕緣損壞[3]。
因此國(guó)內(nèi)用戶對(duì)這一問(wèn)題的關(guān)切程度也在增加,本文在這方面做了一些工作,這里作簡(jiǎn)要的介紹。
當(dāng)隔離開關(guān)兩側(cè)電壓Va高于VR時(shí)隔離開關(guān)被擊穿,過(guò)渡過(guò)程完成后,隔離開關(guān)兩側(cè)電位基本相等,電弧熄滅,電路原理如圖2所示。由于負(fù)荷側(cè)母線泄露電阻很大,所以保持熄弧瞬間電壓V1不變,在示波圖上表現(xiàn)為一段水平直線。而電源側(cè)電壓隨電源Vs而變。當(dāng)它們的差值Va再次超過(guò)VR時(shí),隔離開關(guān)復(fù)燃。這一過(guò)程會(huì)在隔離開關(guān)打開的過(guò)程中不斷發(fā)生。對(duì)于合閘操作,機(jī)理也*相同。
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