Diodes公司推出*采用DFN0606封裝的NPN晶體管MMBT3904FZ和BC847BFZ,以及PNP晶體管MMBT3906FZ和BC857BFZ。新產品的電路板面積僅0.36mm2,比采用了DFN1006(SOT883)封裝的同類型器件小40%,并能提供相等甚至更佳的電氣性能。這些器件的離板高度只有0.4mm,非常適合智能手表、健康和健身設備等可穿戴產品,以及智能手機與平板電腦等受空間限制的消費性產品。
Diodes公司*DFN0606雙極型晶體管產品(兩款NPN及兩款PNP器件)能夠處理高達830mW的功耗。其中40V額定值的MMBT3904FZ及MMBT3906FZ可大幅提升功率密度,還提供高達200mA的集極電流;45V額定值的BC847BFZ和BC857BFZ的集極電流則為100mA。所有器件都會以少於一伏特的底部射極電壓開啟,確保在極低可攜性電源的情況下*啟動。
Diodes公司*DFN0606雙極型晶體管產品(兩款NPN及兩款PNP器件)能夠處理高達830mW的功耗。其中40V額定值的MMBT3904FZ及MMBT3906FZ可大幅提升功率密度,還提供高達200mA的集極電流;45V額定值的BC847BFZ和BC857BFZ的集極電流則為100mA。所有器件都會以少於一伏特的底部射極電壓開啟,確保在極低可攜性電源的情況下*啟動。
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