英飛凌科技股份公司近日推出新型低飽和壓降VCE(sat)IGBT。此類IGBT專門針對50Hz至20kHz的低開關(guān)頻率范圍進(jìn)行了優(yōu)化。這個范圍的開關(guān)頻率常見于不間斷電源(UPS)以及光伏逆變器和逆變焊機(jī)中。新L5系列基于TRENCHSTOP5薄晶片技術(shù)，使本來就很低的導(dǎo)通損耗因為載流子結(jié)構(gòu)的優(yōu)化得到了進(jìn)一步降低。
　　
　　憑借25°C時典型飽和壓降(VCE(sat))為1.05V的傲人成績，此類新型IGBT成功地將效率水平提升到一個新的高度——用L5系列代替它的前輩TRENCHSTOPIGBT，使效率在NPC1拓?fù)渲刑嵘哌_(dá)0.1％，在NPC2拓?fù)渲刑嵘?.3％。再加上VCE(sat)的溫度系數(shù)為正，保持率的同時還能直接并聯(lián)——樹立了20kHz以下頻率的IGBT的。鑄造新L5系列靈魂的TRENCHSTOP5技術(shù)，不但能提供的低傳導(dǎo)損耗，還能將25℃時的總開關(guān)損耗降至1.6mJ。綜上所述，在低開關(guān)頻率應(yīng)用場合使用英飛凌新推出的低飽和壓降IGBT能提升效率，增加可靠性并且縮小系統(tǒng)的尺寸。
　　
　　*波面世的新L5IGBT系列采用業(yè)界標(biāo)準(zhǔn)的TO-2473針封裝技術(shù)。此外，為了滿足需要進(jìn)一步增強(qiáng)效率的應(yīng)用場合，英飛凌還提供TO-2474針開爾文-發(fā)射極封裝版（Kelvin-Emitterpackage）的L5IGBT。與標(biāo)準(zhǔn)的TO-2473針封裝版相比，TO-2474針封裝版的開關(guān)損耗減少了20％。因此，L5與TO-2474針封裝的結(jié)合，不但創(chuàng)造了*版低傳導(dǎo)能耗和低開關(guān)損耗成績，還幫助英飛凌鞏固了在為高功率市場提供高度創(chuàng)新并且與眾不同的產(chǎn)品方面的地位。
　　
　　配置規(guī)格
　　
　　新型低飽和壓降L5系列有30A和7兩種規(guī)格，一種是單IGBT形式，另一種則合裝有英飛凌的超快Rapid1和Rapid2硅二極管。TO-2474針開爾文-發(fā)射極封裝版有7規(guī)格。