英飛凌IGBT模塊BSM200GB60DLC*
型號:BSM200GB60DLC
廠家:英飛凌（原EUPEC）
特性:二單元IGBT模塊

BSM200GB60DLC二單元IGBT模塊屬于英飛凌（原EUPEC）低通壓降IGBT模塊有著廣闊的應(yīng)用范圍如：變頻器、逆變器、UPS電源、EPS電源、開關(guān)電源。在常見的采用半橋IGBT模塊并用并行直流母線連接的ＵＰＳ設(shè)計，為了保護IGBT，使其工作在安全工作區(qū)RBSOA內(nèi)，一般需要采用復(fù)雜的吸峰電路。成本高，且要消耗不少能量，有一典型的用于10kVA UPS逆變回路吸峰電路，需要80×80風(fēng)扇冷卻，這是UPS逆變電路亟待改進的地方。
　　產(chǎn)生ΔV原因可以從下式可以看出：ΔV=-Lσ×di/dt，其與IGBT電流下降速率和回路的電感成正比。要減小尖峰電壓，可以減小電流下降速率，就是通常說的關(guān)斷比較軟，但是會增加損耗；另一方法是減小電感，這個電感就是寄生電感。
　　從原理上說寄生電感與回路包圍的面積有關(guān)，在設(shè)計中BSM200GB60DLC，應(yīng)該選用適當?shù)牡碗姼衅骷移骷季直M量緊湊。那么如何在UPS設(shè)計中減小寄生電感，廢除耗能的吸峰電路，降低成本，這是UPS設(shè)計者關(guān)心的問題。
　　目前UPS逆變器的功率管采用的是IGBT半橋功率模塊，如eupec的BSM200GB60DLC。這些IGBT都采用了雙極型三極管模塊的封裝。