TC WAFER  熱電偶晶圓測(cè)溫系統(tǒng)

隨著航空航天、汽車電子、junyong、光伏、工業(yè)自動(dòng)化等許多領(lǐng)域技術(shù)的不斷發(fā)展，芯片在各種jiduan溫度環(huán)境下的應(yīng)用也越來(lái)越廣泛。作為晶圓測(cè)試中的關(guān)鍵設(shè)備，探針臺(tái)的運(yùn)作原理在于通過(guò)其探針與被測(cè)器件上的 PAD 點(diǎn)精確對(duì)位，以實(shí)現(xiàn)測(cè)試機(jī)輸出激勵(lì)信號(hào)的互通與信號(hào)反饋，最終獲取和采集測(cè)試數(shù)據(jù)。高低溫真空探針臺(tái)可以很好的滿足極低溫測(cè)試和高溫?zé)o氧化測(cè)設(shè)。在整個(gè)測(cè)試過(guò)程中，工程師們追求以最短的時(shí)間獲得可靠的測(cè)試數(shù)據(jù)。

典型的晶圓高低溫測(cè)試通常涵蓋溫度范圍從 -45°C 至 150°C，而在晶圓可靠性測(cè)試中，溫度可能高達(dá) 300°C。然而，隨著探針臺(tái)進(jìn)行溫度變化，由于熱膨脹和冷收縮效應(yīng)，探針與卡盤之間可能會(huì)出現(xiàn)熱漂移，從而影響探針與 PAD 點(diǎn)之間的對(duì)準(zhǔn)，增加晶圓探針測(cè)試的難度。更有一些晶圓測(cè)試要求在jiduan溫度環(huán)境下，甚至達(dá)到 500°C 以上。隨著溫度的升高，探針臺(tái)也將面臨更大的溫度范圍測(cè)試壓力。

智測(cè)電子TC-WAFER晶圓測(cè)溫系統(tǒng)還具備監(jiān)控半導(dǎo)體設(shè)備控溫過(guò)程中晶圓發(fā)生的溫度變化的功能，確保了制造過(guò)程的穩(wěn)定性。特別適用于半導(dǎo)體制造廠Fab、PVD/CVD 部門、RTP部門等場(chǎng)合，讓您能夠?qū)崟r(shí)了解晶圓的溫度情況，提高生產(chǎn)效率，降低不良品率。

我們的產(chǎn)品不僅具備出色的性能，還具有簡(jiǎn)潔易用的操作界面，方便您快速上手。我們的研發(fā)團(tuán)隊(duì)將持續(xù)改進(jìn)產(chǎn)品性能和功能，以滿足不同客戶的需求，確保您擁有的***技術(shù)支持。

測(cè)溫范圍：-50℃至1200℃

熱電偶類型：K型

精度：±0.5℃±0.1%讀數(shù)

線徑：0.127、0.254mm

測(cè)溫點(diǎn)數(shù)：1~68個(gè)

傳感器引線：可定制

工藝：焊接設(shè)計(jì)

絕緣材料：石英、Teflon、二氧化硅、陶瓷、PA

測(cè)溫探頭接口：DB37、微型插座

晶圓材質(zhì)：硅片，藍(lán)寶石，碳化硅等（基材形狀和尺寸可定制）

晶圓尺寸：50mm，100mm，150mm，200mm，300mm

真空貫通帶：聚酰亞胺扁平電纜，大氣壓可達(dá)10-7Torr（長(zhǎng)度由客戶*定制*）

儀器化晶圓溫度測(cè)量  熱電偶晶圓測(cè)溫系統(tǒng)