新一代3300V1200A的IGBT模塊，仍保持IGBT模塊的典型特性，即損耗低、噪音小和短路耐量大的特性。其飽和壓降與1600V的產(chǎn)品差不多，通過(guò)降低50%左右的短路電流而實(shí)現(xiàn)其可與1200V/1600VIGBT相比擬的較好的短路耐量。
　　
　　另外，由于門(mén)極輸入和反饋電容的變化，新一代高壓型IGBT表現(xiàn)出不同的輸入特性。這在設(shè)計(jì)門(mén)極驅(qū)動(dòng)時(shí)務(wù)必加以考慮。由于門(mén)極采用RC回路（阻容回路），故單位時(shí)間里電流和電壓的變化量（dI/dt和dv/dt）可以被獨(dú)立地調(diào)整，從而實(shí)現(xiàn)在IGBT和二極管的安全工作區(qū)里使開(kāi)關(guān)損耗降到zui小。
　　
　　可靠的短路耐量
　　
　　短路耐量是IGBT模塊zui重要的性能之一。短路電流被限定在額定電流的8～10倍，導(dǎo)致耗散功率大量提升，比如一個(gè)2KV12KA的IGBT，損耗將達(dá)到24MW。故對(duì)于高壓型的IGBT來(lái)說(shuō)，必須通過(guò)減少短路電流（Isc）實(shí)現(xiàn)降低損耗的目的。對(duì)于3300V的IGBT來(lái)說(shuō)，其應(yīng)用電路直流側(cè)電壓的典型值大約在1500V～2000V之間，為1600VIGBT的兩倍，所以為了得到與1600VIGBT相同的損耗，必須減少其電流，這可以通過(guò)采用優(yōu)化的高壓元胞設(shè)計(jì)，把短路電流減少到其額定電流值的5倍而得到實(shí)現(xiàn)。
　　
　　動(dòng)態(tài)傳輸特性
　　
　　IGBT模塊的元胞設(shè)計(jì)已考慮了輸入和反饋電容的影響，因?yàn)樗鼈儗?duì)器件的動(dòng)態(tài)傳輸特性有重要影響。這說(shuō)明在相同的驅(qū)動(dòng)條件下，高壓型IGBT與1200V和1600V的開(kāi)通情況是大不相同的。
　　
　　IGBT的開(kāi)通情況
　　
　　IGBT模塊的開(kāi)通過(guò)程按時(shí)間可以分為如圖Fig.1和表1所示的四個(gè)過(guò)程,如下:
　　
　　*,門(mén)射電壓VGE小于閥值電壓VTh時(shí)。其門(mén)極電阻RG和門(mén)射電容CGEI的時(shí)間常數(shù)決定這一過(guò)程。當(dāng)器件的集電極電流IC和集射電壓VCE均保持不變時(shí)，CGEI就是影響其導(dǎo)通延遲時(shí)間tdon的*因素。
　　
　　第二,當(dāng)門(mén)射電壓VGE達(dá)到其閥值電壓?時(shí)，開(kāi)通過(guò)程進(jìn)入第二階段，IGBT開(kāi)始導(dǎo)通，其電流上升速率dI/dt的大小與門(mén)射電壓VGE和器件的跨導(dǎo)gfs有如下關(guān)系：dIc/dt=gfs（Ic）＊dVGE/dt
　　
　　其中，dVGE/dt由器件的門(mén)極電阻RG和門(mén)射電容CGEI所決定（對(duì)于高壓型IGBT來(lái)說(shuō)，門(mén)集電容CGC可忽略不計(jì)）。
　　
　　第三,第三階段從集電極電流達(dá)到zui大值ICmax（FWD的逆向峰值電流IRM加上負(fù)載電流IL）時(shí)開(kāi)始，克服反向電壓VR使二極管截止，此時(shí)IGBT的集射電壓VCE開(kāi)始下降，隨著VCE的下降，電壓可控的門(mén)集之間的場(chǎng)電容容抗CGC成近百倍增大。當(dāng)門(mén)射驅(qū)動(dòng)電壓保持恒定時(shí)，所有的門(mén)極電流都被投入到對(duì)增長(zhǎng)的CGC的放電上。因此，本階段的導(dǎo)通受門(mén)極電阻和場(chǎng)電容的時(shí)間常數(shù)所影響。該時(shí)間常數(shù)決定器件的電壓變化速率dVCE/dt并對(duì)器件的導(dǎo)通損耗造成很大的影響。
　　
　　第四,開(kāi)通之后，器件進(jìn)入穩(wěn)定的導(dǎo)通狀態(tài)。
　　
　　對(duì)dIC/dt和dVCE/dt的控制
　　
　　場(chǎng)電容增加，門(mén)射電容減少，這樣的IGBT若使用一般的"R"-門(mén)極驅(qū)動(dòng)，將導(dǎo)致dI/dt值的增加和dV/dt值的減少。dI/dt的增大引起在FWD反向恢復(fù)其間器件承受較高的壓力以及由二極管的恢復(fù)而可能出現(xiàn)較高的負(fù)dI/dt值，從而在雜散電感的作用下導(dǎo)致器件過(guò)壓。而低的dV/dt值引起高的開(kāi)關(guān)損耗。因而唯有通過(guò)改變門(mén)極電阻RG的大小來(lái)均衡才能化解dI/dt與dV/dt大小的沖突。RG的取值務(wù)必保證dIc/dt的調(diào)節(jié)始終處于器件的安全工作區(qū)內(nèi)，但這樣一來(lái)dV/dt的值就會(huì)很低導(dǎo)致開(kāi)通損耗不能接受。因此，解決的方法是采用"RC"門(mén)極驅(qū)動(dòng)，即在IGBT的門(mén)射之間再接入附加電容CGE。通過(guò)該電容來(lái)調(diào)節(jié)上述開(kāi)通第二過(guò)程中門(mén)射電壓和電流變化率dIc/dt的上升，不過(guò)，CGE對(duì)開(kāi)通的第三過(guò)程沒(méi)什么影響，因?yàn)闆](méi)有引起dVGE/dt的改變。dVCE/dt升高使得器件的開(kāi)通損耗減少，控制門(mén)極電阻使ＦＷＤ上的dV/dt的變化值不超過(guò)其臨界值。門(mén)極電阻ＲＧ確定之后，就可通過(guò)調(diào)節(jié)外接的CGＥ來(lái)設(shè)定合適的dIc/dt值。
　　
　　采用"RC"-門(mén)極驅(qū)動(dòng)的結(jié)果，dIc/dt的設(shè)定值約為5kA/μs,而不同的dVCE/dt值由不同的RC值所決定。適當(dāng)?shù)剡x擇RC值可使器件的開(kāi)通損耗大量降低甚至超過(guò)50%。
　　
　　IGBT模塊的驅(qū)動(dòng)條件
　　
　　高壓IGBT和二極管在開(kāi)關(guān)速度上都有其局限性。當(dāng)dIF/dt為續(xù)流二極管FWD的限值時(shí)，則關(guān)斷時(shí)IGBT的dVCE/dt值為其zui大值。當(dāng)然可以通過(guò)改變IGBT的門(mén)極驅(qū)動(dòng)條件來(lái)調(diào)節(jié)這兩個(gè)限值的變化。FWD的截止受IGBT開(kāi)通的驅(qū)動(dòng)條件控制。關(guān)斷時(shí)務(wù)必保證IGBT處于其安全工作區(qū)內(nèi)。為了獨(dú)立控制開(kāi)通時(shí)的dV/dt、dI/dt及關(guān)斷時(shí)的dV/dt，必須采用三個(gè)無(wú)源元件，如圖Fig.4顯示，采用標(biāo)準(zhǔn)的±15V的門(mén)極驅(qū)動(dòng)時(shí)，可以通過(guò)開(kāi)通門(mén)極電阻Ron（調(diào)節(jié)dVon/dt）、關(guān)斷門(mén)極電阻Roff（調(diào)節(jié)dVoff/dt）和門(mén)射電容CGE（調(diào)節(jié)dIon/dt）來(lái)調(diào)節(jié)IGBT/FWD限值的變化斜率。電容CGE對(duì)IGBT關(guān)斷時(shí)的dI/dt影響很小。
　　
　　總結(jié)
　　
　　受高壓IGBT模塊和高壓FWD的安全工作區(qū)的限制，而采用帶三個(gè)無(wú)源元件（Ron，Roff，CGE）的RC-門(mén)極驅(qū)動(dòng)，通過(guò)調(diào)節(jié)來(lái)控制電壓和關(guān)斷電流斜率的變化。
　　
　　不同的輸入和傳輸特性所引起的在門(mén)射和門(mén)集之間的容抗變化率，可由采用RC-門(mén)極驅(qū)動(dòng)的方案得以補(bǔ)償。