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英飛凌IGBT模塊FZ1000R33HE3_C1

參考價(jià)	￥ 18888
訂貨量	≥1只

具體成交價(jià)以合同協(xié)議為準(zhǔn)

公司名稱北京京誠(chéng)宏泰科技有限公司
品牌英飛凌/Infineon
型號(hào)FZ1500R33H
所在地北京市
廠商性質(zhì)經(jīng)銷商
更新時(shí)間2025/2/19 10:52:52
訪問次數(shù)1100

產(chǎn)品標(biāo)簽:

功率IGBT模塊 IGBT晶體管 IGBT開關(guān)管絕緣柵晶體管電源模塊

在線詢價(jià)收藏產(chǎn)品進(jìn)入展商展臺(tái)

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公司介紹主營(yíng)產(chǎn)品

北京京誠(chéng)宏泰科技有限公司是一家集代理、分銷、經(jīng)銷、直銷及OEM模式為一體的電力電子半導(dǎo)體銷售和電力電子行業(yè)解決方案的產(chǎn)業(yè)鏈供應(yīng)商。專業(yè)銷售代理國(guó)內(nèi)外電力電子半導(dǎo)體器件、變頻器、變頻器配件、鋁電解電容和功率模塊；主要代理及經(jīng)銷德國(guó)Infineon英飛凌、EUPEC優(yōu)派克、SIEMENS西門子、西門康Semikron、瑞士ABB， IXYS艾賽斯、Mitsubishi三菱、Fuji富士、SanRex三社、TOSHIBA東芝、HITACHI日立、AEG、Vishay、danfoss丹佛斯、TYCO泰科，DYNEX 丹尼克斯、Vacon偉肯、Fairchild飛兆半導(dǎo)體、Sanken三肯、因達(dá)NIEC，美國(guó)IR，NELL尼爾；yaskawa安川；英國(guó)西瑪，西班牙CATELEC等公司生產(chǎn)的 IGBT、IGCT、IPM、PIM、可控硅、GTO、GTR達(dá)林頓、整流橋、二極管、場(chǎng)效應(yīng)模塊；日本富士（FUJI）、日之出（HINODE）、法國(guó)羅蘭（FERRAZ）、英國(guó)GOULD、美國(guó)BUSSMANN快速熔斷器；日本日立、黑金剛NIPPON chemi-con、尼吉康nichicon；紅寶石，epcos艾普科斯、瑞典RIFA力發(fā)、美國(guó)BHC電解電容以及美國(guó)CDE無感電容；CONCEPT IGBT驅(qū)動(dòng)模塊、光耦、變頻器主控板、驅(qū)動(dòng)板，操作面板及延長(zhǎng)電纜等配件以及富士制動(dòng)單元

銷售各大半導(dǎo)體功率器件工業(yè)備品配件：IGBT模塊；單管IGBT模塊；雙管半橋IGBT模塊；4單元H橋IGBT模塊；3單元IGBT模塊；6單元三相全橋IGBT模塊；
三電平IGBT模塊；6500V高壓IGBT模塊；3300V高壓IGBT模塊；4500V高壓IGBT模塊；IPM模塊；PIM模塊；PLC模塊；GTR達(dá)林頓模塊；GTO晶閘管；普通晶閘管；
快速晶閘管；二極管；快恢復(fù)二極管；整流橋；剎車整流器；單相整流橋；三相整流橋；全控整流橋；半控整流橋；可控硅；雙向可控硅；反并聯(lián)可控硅；驅(qū)動(dòng)板；
IGBT驅(qū)動(dòng)板；可控硅驅(qū)動(dòng)板；可控硅觸發(fā)板；晶閘管觸發(fā)板； MOSFET管；場(chǎng)效應(yīng)模塊；電容；直流鋁電解電容；交流濾波電容；啟動(dòng)電容器；無功補(bǔ)償電容器；
快熔；延時(shí)慢熔；智能功率模塊；智能晶閘管模塊；工業(yè)觸摸屏；操作面板；工控機(jī)；變頻器整機(jī)及配件；軟啟動(dòng)器整機(jī)及配件；電力調(diào)整器整機(jī)及配件；
ABB變頻傳動(dòng)備件；西門子變頻傳動(dòng)/直流調(diào)速備件；風(fēng)電/煤礦/石油/鐵路/光伏/新能源汽車備件！

主要銷售德國(guó)，歐洲、美國(guó)、日本等品牌模塊。公司一直本著“質(zhì)量*，價(jià)格合理，交貨快捷，客戶至上”。公司經(jīng) 營(yíng)的電力功率模塊，主要用于航天航空，機(jī)場(chǎng)設(shè)施，電機(jī)調(diào)速，礦山焊機(jī)，船舶艦艇，通用變頻器、高壓變頻器、伺服驅(qū)動(dòng)器、UPS、變頻與傳動(dòng)、電動(dòng)汽車、電力系統(tǒng)無功補(bǔ)償裝置UPS逆變器/UPS/EPS、風(fēng)電變流器、變頻空調(diào)、光伏變流、機(jī)車主牽引變流器、電梯變頻器、起重專用變頻器、感應(yīng)加熱、電源電鍍/電解電源、有源濾波/無功補(bǔ)償、機(jī)車輔助逆變器、逆變焊機(jī)；京誠(chéng)宏泰科技在逆變焊機(jī)、不間斷電源UPS、Inverter變頻器、數(shù)控伺服、電動(dòng)汽車、風(fēng)力太陽(yáng)能發(fā)電等領(lǐng)域與客戶戰(zhàn)略合作，全力支持中國(guó)電力電子工業(yè)發(fā)展！

展開顯示更多內(nèi)容

IGBT，IPM，可控硅，整流橋，二極管，晶閘管，變頻器配件，IGBT驅(qū)動(dòng)，快熔，電容

產(chǎn)品簡(jiǎn)介在線詢價(jià)

封裝	170IHV

英飛凌IGBT模塊FZ1000R33HE3_C1
北京京誠(chéng)宏泰科技有限公司銷售IGBT模塊；可控硅模塊；晶閘管；二極管模塊；整流橋模塊；PLC模塊；電容；變頻器備件
3300V IGBT英飛凌FZ1000R33HE3_C1

英飛凌IGBT模塊FZ1000R33HE3_C1 產(chǎn)品信息

英飛凌IGBT模塊FZ1000R33HE3_C1

北京京誠(chéng)宏泰科技有限公司銷售英飛凌IGBT模塊；可控硅模塊；整流橋模塊；二極管模塊；晶閘管；IPM模塊;半導(dǎo)體功率模塊;變頻器配件

西門子變頻器IGBT模塊FZ1000R33HE3_C1

產(chǎn)品參數(shù)：

IHV B 3300 V 1000 A 130 mm 單開關(guān) IGBT 模塊，具有第三代 TRENCHSTOP™ IGBT、低開關(guān)損耗和發(fā)射極控制二極管——適用于牽引和工業(yè)應(yīng)用的解決方案

3300V IGBT模塊型號(hào)：

FZ1000R33HL3_S2
FZ1500R33HL3_S2
FF200R33KF2C
FZ400R33KF2C
FZ800R33KF2C
FZ1200R33KF2C
IGBT模塊FZ1000R33HL3
IGBT模塊FZ1000R33HE3
IGBT模塊FZ1200R33HE3
IGBT模塊FZ1500R33HE3
IGBT模塊FZ1500R33HL3
IGBT模塊FZ1600R33HE4
IGBT模塊FZ1400R33HE4
IGBT模塊FZ2400R33HE4
IGBT模塊FF450R33T3E3
IGBT模塊FZ825R33HE4D

英飛凌IGBT模塊FZ1000R33HE3_C1

如何計(jì)算IGBT器件的工作結(jié)溫Tvj？

ChatGPT是這樣說的：

要計(jì)算IGBT器件的工作結(jié)溫Tvj，需要考慮以下幾個(gè)因素：

1	IGBT芯片的功率損耗。這個(gè)值可以通過IGBT芯片廠家提供的datasheet中查到。通常來說，功率損耗越大，工作結(jié)溫就越高。
2	IGBT芯片的封裝方式。不同的封裝方式會(huì)影響散熱效率。一般來說，背面帶有散熱片的封裝方式散熱效果較好。
3	外部散熱器的散熱能力。外部散熱器的散熱能力也會(huì)影響工作結(jié)溫。散熱器的大小、材料以及通風(fēng)情況都會(huì)影響散熱效果。

如果考慮了以上因素后，可以使用以下公式計(jì)算IGBT器件的工作結(jié)溫Tvj：

Tvj = Ta + Pd*Rthjc

其中， Ta是環(huán)境溫度，Pd是IGBT芯片的功率損耗，Rthjc是芯片與散熱器結(jié)合部的熱阻。

需要注意的是，這個(gè)公式只考慮了IGBT芯片本身的散熱情況，并沒有考慮整個(gè)系統(tǒng)的散熱能力。因此，在實(shí)際應(yīng)用中，還需要結(jié)合具體的系統(tǒng)情況來確定IGBT器件的工作結(jié)溫。

1700V IGBT模塊型號(hào)：

FZ1800R17KF4

FZ1200R17KF6C_B2

FZ1600R17KF6C_B2

FZ2400R17KF6C_B2

FZ1200R17KF4

FZ1200R17HE4

FZ1200R17HP4_B2
FZ1600R17HP4_B2
FZ1600R17HP4_B21
FZ1800R17HP4_B29
FZ2400R17HP4_B2
FZ2400R17HP4_B28
FZ2400R17HP4_B29
FZ3600R17HP4_B2

FZ1200R17HP4
FZ1600R17HP4
FZ1800R17HP4_B9
FZ2400R17HP4
FZ2400R17HP4_B9
FZ3600R17HP4
IGBT4 Fast (IHM B) 1)
FZ1200R17HE4
FZ1800R17HE4_B9
FZ2400R17HE4_B9
FZ3600R17HE4

特征描述

高直流電壓穩(wěn)定性
高短路能力
自限制短路電流
低開關(guān)損耗
出色的堅(jiān)固性
Tvj op = 150°C
低 VCEsat，具有正溫度系數(shù)
鋁碳化硅基板，用于提高熱循環(huán)能力
封裝的 CTI > 600
絕緣基板

英飛凌IGBT模塊FZ1000R33HE3_C1

產(chǎn)品規(guī)格：

IGBT 類型：溝槽型場(chǎng)截止

配置：半橋

電壓 - 集射極擊穿：3300 V

電流 - 集電極 (Ic)：1000 A

電流 - 集電極截止：100 µA

不同 Vce 時(shí)輸入電容 (Cies)：122 nF @ 25 V

輸入：標(biāo)準(zhǔn)

NTC 熱敏電阻：無

工作溫度：-40°C ~ 175°C（TJ）

安裝類型：底座安裝

封裝/外殼：模塊

供應(yīng)商器件封裝：AG-62MM

英飛凌IGBT模塊FZ1000R33HE3_C1

優(yōu)勢(shì)：

具有高電流能力的現(xiàn)有封裝，允許在相同框架尺寸的情況下增加逆變器輸出功率

高功率密度

避免 IGBT 模塊并聯(lián)

通過簡(jiǎn)化逆變器系統(tǒng)降低系統(tǒng)成本

靈活性

高的可靠性

產(chǎn)品應(yīng)用領(lǐng)域：

不間斷電源（UPS）

儲(chǔ)能系統(tǒng)

電機(jī)控制和驅(qū)動(dòng)

商用、建筑和農(nóng)用車輛 (CAV)

變頻器

英飛凌IGBT模塊FZ1000R33HE3_C1

北京京誠(chéng)宏泰科技有限公司是一家集渠道、分銷、經(jīng)銷、直銷及OEM模式為一體的電力電子半導(dǎo)體銷售和電力電子行業(yè)解決方案的產(chǎn)業(yè)鏈供應(yīng)商。

銷售國(guó)內(nèi)外品牌電力電子半導(dǎo)體器件、變頻器、變頻器配件、鋁電解電容和功率模塊；主要經(jīng)銷德國(guó)Infineon英飛凌、EUPEC優(yōu)派克、

SIEMENS西門子、西門康Semikron、 IXYS艾賽斯、AEG、Vishay、danfoss丹佛斯、TYCO泰科，DYNEX 丹尼克斯、Vacon偉肯、Mitsubishi三菱、

Fuji富士、Fairchild飛兆半導(dǎo)體、TOSHIBA東芝、HITACHI日立、SanRex三社、Sanken三肯、POWEREX,因達(dá)NIEC，美國(guó)IR，瑞士ABB，POWERSEM,NELL尼爾；yaskawa安川；

英國(guó)西瑪，西班牙CATELEC等公司生產(chǎn)的 IGBT、IGCT、IPM、PIM、可控硅晶閘管、GTO、GTR達(dá)林頓、整流橋、二極管、場(chǎng)效應(yīng)模塊；日本富士（FUJI）、

日之出（HINODE）、法國(guó)羅蘭（FERRAZ）、英國(guó)GOULD、美國(guó)BUSSMANN快速熔斷器；KEMET，意大利Arcotronics（AV),

Itelcond,意大利FACON,德國(guó)伊凱基ELECTRONICON，法國(guó)湯姆遜TPC，日本日立、黑金剛NIPPON chemi-con、尼吉康nichicon；

紅寶石，epcos艾普科斯、瑞典RIFA力發(fā)、英國(guó)BHC，BHC Aerovox 電解電容以及美國(guó)CDE無感電容；瑞士CONCEPT IGBT驅(qū)動(dòng)、光耦、變頻器主控板、驅(qū)動(dòng)板，電源板，通信板，接口板

操作面板

英飛凌IGBT模塊FZ1000R33HE3_C1

IGBT是什么？

IGBT即絕緣柵雙極型晶體管，是由BJT（雙極型三極管）和MOS（絕緣柵型場(chǎng)效應(yīng)管）組成的復(fù)合全控型電壓驅(qū)動(dòng)式功率半導(dǎo)體器件，兼有MOSFET的高輸入阻抗和GTR的低導(dǎo)通壓降兩方面的優(yōu)點(diǎn)。GTR飽和壓降低，載流密度大，但驅(qū)動(dòng)電流較大；MOSFET驅(qū)動(dòng)功率很小，開關(guān)速度快，但導(dǎo)通壓降大，載流密度小。IGBT綜合了以上兩種器件的優(yōu)點(diǎn)，驅(qū)動(dòng)功率小而飽和壓降低。非常適合應(yīng)用于直流電壓為600V及以上的變流系統(tǒng)如交流電機(jī)、變頻器、開關(guān)電源、照明電路、牽引傳動(dòng)等領(lǐng)域。

IGBT與MOSFET的對(duì)比

MOSFET全稱功率場(chǎng)效應(yīng)晶體管。它的三個(gè)極分別是源極（S）、漏極（D）和柵極（G）。

優(yōu)點(diǎn)：熱穩(wěn)定性好、安全工作區(qū)大。

缺點(diǎn)：擊穿電壓低，工作電流小。北京京誠(chéng)宏泰科技有限公司英飛凌IGBT模塊FZ1000R33HE3_C1

IGBT全稱絕緣柵雙極晶體管，是MOSFET和GTR（功率晶管）相結(jié)合的產(chǎn)物。它的三個(gè)極分別是集電極（C）、發(fā)射極（E）和柵極（G）。

特點(diǎn)：擊穿電壓可達(dá)1200V，集電極飽和電流已超過1500A。由IGBT作為逆變器件的變頻器的容量達(dá)250kVA以上，工作頻率可達(dá)20kHz。

IGBT的典型應(yīng)用

電動(dòng)機(jī)

不間斷電源

太陽(yáng)能面板安裝

電焊機(jī)

電源轉(zhuǎn)換器與反相器