進(jìn)軍2nm 日本也要拼先進(jìn)半導(dǎo)體工藝：3年實(shí)用化

2021-03-09 09:25:13來源：快科技關(guān)鍵詞：半導(dǎo)體工藝半導(dǎo)體制造閱讀量：24134

導(dǎo)讀：在先進(jìn)工藝上，目前臺積電、三星及Intel等幾家實(shí)力強(qiáng)大，日本公司主要是在光刻膠、硅片等材料有較大優(yōu)勢，但日本也沒有放棄先進(jìn)工藝上的努力。

　　目前量產(chǎn)的前沿工藝是臺積電、三星的5nm，明年有望量產(chǎn)3nm工藝，再往后的2nm工藝需要全新的技術(shù)，制造難度更高，是大國爭搶的制高點(diǎn)之一。

　　在先進(jìn)工藝上，目前臺積電、三星及Intel等幾家實(shí)力強(qiáng)大，日本公司主要是在光刻膠、硅片等材料有較大優(yōu)勢，但日本也沒有放棄先進(jìn)工藝上的努力。

　　據(jù)日本媒體報(bào)道，日本產(chǎn)業(yè)技術(shù)綜合研究所與中國臺灣半導(dǎo)體研究中心(TSRI)等展開合作，開發(fā)了用于新一代半導(dǎo)體的新型晶體管結(jié)構(gòu)。

　　相比其他技術(shù)，該技術(shù)將硅（Si）和鍺（Ge）等不同溝道材料從上下方堆疊、使“n型”和“p型”場效應(yīng)晶體管靠近的名為“CFET”的結(jié)構(gòu)。

　　報(bào)道稱，與此前的晶體管相比，CFET結(jié)構(gòu)的晶體管性能高、面積小，有助于制造2nm以下線寬的新一代半導(dǎo)體。

　　據(jù)悉，這一研究成果發(fā)表于2020年12月在線上舉行的半導(dǎo)體相關(guān)會議“IEDM2020”。該項(xiàng)新技術(shù)有望在今后約3年里對民營企業(yè)進(jìn)行轉(zhuǎn)讓，正式開始商用。

　　(原標(biāo)題：進(jìn)軍2nm 日本也要拼先進(jìn)半導(dǎo)體工藝：3年實(shí)用化)

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