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這兩天IBM首發(fā)2nm工藝芯片的消息刷屏了，在當(dāng)前的半導(dǎo)體環(huán)境下，這件事意義確實(shí)重大，因?yàn)樽罱鼛啄觐I(lǐng)導(dǎo)先進(jìn)工藝的是臺(tái)積電，IBM首發(fā)2nm工藝給美國(guó)公司贏回了面子。
IBM 2nm工藝的基本情況昨天都報(bào)道過了，使用了GAA環(huán)繞柵極晶體管技術(shù)，密度可達(dá)3.33億晶體管/mm2，幾乎是臺(tái)積電5nm的兩倍，也比外界預(yù)估臺(tái)積電3nm工藝的2.9晶體管/mm2要高，指甲蓋大小的芯片就有500億晶體管。
不過仔細(xì)算算的話，IBM 2nm工藝的晶體管密度優(yōu)勢(shì)沒有多大，最終比臺(tái)積電3nm工藝領(lǐng)先多少還不好說，畢竟后者也有2nm GAA工藝沒發(fā)。
性能方面，IBM表示他們的2nm工藝在同樣的電力消耗下，其性能比當(dāng)前7nm高出45%，輸出同樣性能則減少75%的功耗。
還有一些細(xì)節(jié)，那就是IBM的2nm工藝的納米片為3層堆棧，高度75nm，寬度40nm，柵極長(zhǎng)12nm，納米片高度5nm——里面沒有一個(gè)參數(shù)是2nm的，因?yàn)?nm的命名還是沿用了傳統(tǒng)2D晶體管的標(biāo)準(zhǔn)。
在臺(tái)積電的2nm工藝還在研發(fā)階段沒有公布技術(shù)細(xì)節(jié)的情況下，IBM這次在美國(guó)的實(shí)驗(yàn)室率先推出了2nm技術(shù)是很有象征意義的，美國(guó)現(xiàn)在也在努力奪回半導(dǎo)體工藝領(lǐng)先地位，IBM的2nm工藝給了信心。
不過IBM量產(chǎn)2nm工藝的難度也不小，因?yàn)楝F(xiàn)在這個(gè)技術(shù)還是實(shí)驗(yàn)室生產(chǎn)的，IBM沒有大規(guī)模生產(chǎn)的條件了，這次2nm工藝還有三星、Intel的參與，后面兩家有可能吸納2nm工藝技術(shù)(至少是部分)。
根據(jù)IBM的說法，2nm工藝預(yù)計(jì)在2024年量產(chǎn)，這個(gè)時(shí)間點(diǎn)正好卡在臺(tái)積電2nm工藝量產(chǎn)的范圍內(nèi)。
(原標(biāo)題：搶先臺(tái)積電 IBM首發(fā)2nm工藝芯片：最快2024年量產(chǎn))
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