首發(fā)GAA晶體管技術三星3nm工藝成功流片

2021-06-30 09:21:25來源：快科技關鍵詞：芯片制造 GAA晶體管技術閱讀量：21505

導讀：根據(jù)三星的說法，與5nm制造工藝相比，3nm GAA技術的邏輯面積效率提高了35%以上，功耗降低了50%，性能提高了約30%。

　　全球目前量產(chǎn)的前沿工藝是5nm，臺積電明年就要量產(chǎn)3nm工藝，不過3nm節(jié)點他們依然選擇FinFET晶體管技術，三星則選擇了GAA技術，日前三星也成功流片了3nm GAA芯片，邁出了關鍵一步。

　　在3nm節(jié)點，三星比較激進，直接選擇了下一代工藝技術——GAA環(huán)繞柵極晶體管，通過使用納米片設備制造出了MBCFET(Multi-Bridge-Channel FET，多橋-通道場效應管)，該技術可以顯著增強晶體管性能，主要取代FinFET晶體管技術。

　　根據(jù)三星的說法，與5nm制造工藝相比，3nm GAA技術的邏輯面積效率提高了35%以上，功耗降低了50%，性能提高了約30%。

　　三星早在2019年就公布了3nm GAA工藝的PDK物理設計套件標準，這次3nm芯片流片是跟Synopsys合作完成的，雙方聯(lián)合驗證了該工藝的設計、生產(chǎn)流程，是3nm GAA工藝的里程碑。

　　不過三星、Synopsys并沒有透露這次驗證的3nm GAA芯片的詳情，官方只說GAA架構改進了靜電特性，提高了性能，降低了功耗。

　　3nm GAA工藝流片意味著該工藝量產(chǎn)又近了一步，不過最終的進度依然不好說，三星最早說在2021年就能量產(chǎn)，后來推遲到2022年，但是從現(xiàn)在的情況來看，明年臺積電3nm工藝量產(chǎn)時，三星的3nm恐怕還沒準備好，依然要晚一些。

　　(原標題：首發(fā)GAA晶體管技術三星3nm工藝成功流片)

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