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SK海力士開始量產(chǎn)采用EUV技術(shù)的第四代10納米（1a）級(jí)DRAM

2021-07-12 13:59:44來(lái)源：TechWeb 關(guān)鍵詞：DRAM半導(dǎo)體設(shè)備閱讀量：24701

導(dǎo)讀：半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)發(fā)展?fàn)顩r，已引起國(guó)內(nèi)外人士普遍關(guān)注。
　　2021年，半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)發(fā)展邁入了新的時(shí)期。SK海力士宣布已于7月初開始量產(chǎn)適用第四代10納米(1a)級(jí)工藝的 8Gigabit(Gb)LPDDR4移動(dòng)端DRAM產(chǎn)品。
 
　　* LPDDR4(Low Power Double Data Rate 4)–專為移動(dòng)終端開發(fā)的低功耗DRAM規(guī)格。“DDR”為電子工程設(shè)計(jì)發(fā)展聯(lián)合協(xié)會(huì)(Joint Electron Device Engineering Council，簡(jiǎn)稱JEDEC)規(guī)定的DRAM規(guī)格標(biāo)準(zhǔn)名稱，DDR1-2-3-4為其順序進(jìn)行換代。
 
　　自從10納米級(jí)DRAM產(chǎn)品開始，半導(dǎo)體業(yè)內(nèi)將每一代工藝節(jié)點(diǎn)都以標(biāo)注英文字母的方式起名，此次SK海力士量產(chǎn)的1a納米級(jí)工藝是繼1x(第一代)、1y(第二代)、1z(第三代)之后的第四代工藝節(jié)點(diǎn)。公司預(yù)計(jì)從下半年開始向智能手機(jī)廠商供應(yīng)適用1a納米級(jí)技術(shù)的移動(dòng)端DRAM。
 
　　此次量產(chǎn)的產(chǎn)品是SK海力士首次采用EUV技術(shù)進(jìn)行量產(chǎn)的DRAM，其意義非凡。SK海力士在此前生產(chǎn)1y納米級(jí)產(chǎn)品過(guò)程中曾部分采用了EUV技術(shù)，事先完成了對(duì)其穩(wěn)定性的驗(yàn)證。
 
　　* EUV(Extreme Ultraviolet)：指利用極紫外線的光刻設(shè)備
 
　　工藝的極度細(xì)微化趨勢(shì)使半導(dǎo)體廠商陸續(xù)導(dǎo)入EUV設(shè)備，并將其投入在晶圓上繪制電路的光刻工藝當(dāng)中。業(yè)界認(rèn)為采用EUV技術(shù)的水平將成為今后決定技術(shù)重要地位的重要因素。SK海力士通過(guò)此次量產(chǎn)確保了EUV工藝技術(shù)的穩(wěn)定性，并表示未來(lái)的1a納米級(jí)DRAM都將采用EUV工藝進(jìn)行生產(chǎn)。
 
　　SK海力士期待通過(guò)新產(chǎn)品生產(chǎn)效率的提升得以確保更高的成本競(jìng)爭(zhēng)力。相較前一代1z納米級(jí)工藝的同樣規(guī)格產(chǎn)品，1a納米級(jí)DRAM在每一張晶圓中可產(chǎn)出的產(chǎn)品數(shù)量約提高了25%。在今年全球DRAM需求持續(xù)增長(zhǎng)的背景下，公司期待1a納米級(jí)DRAM在全球存儲(chǔ)半導(dǎo)體供需中扮演重要角色。
 
　　此次新產(chǎn)品穩(wěn)定支持LPDDR4移動(dòng)端DRAM規(guī)格的最高速度(4266Mbps)，并相較前一代產(chǎn)品其功耗也降低了約20%。SK海力士認(rèn)為此次新產(chǎn)品進(jìn)一步強(qiáng)化了低功耗的優(yōu)勢(shì)，助力碳排放量的減少，充分體現(xiàn)了SK海力士注重ESG(環(huán)境、社會(huì)、公司治理)經(jīng)營(yíng)的精神理念。
 
　　在本次LPDDR4產(chǎn)品之后，SK海力士還計(jì)劃從明年初開始將1a納米級(jí)工藝導(dǎo)入于去年十月推出的全球首款DDR5 DRAM。
 
　　SK海力士1a納米級(jí)DRAM領(lǐng)導(dǎo)小組(Task Force)的曹永萬(wàn)副社長(zhǎng)表示：“此次量產(chǎn)的1a納米級(jí)DRAM在生產(chǎn)效率和成本競(jìng)爭(zhēng)力層面都有改善，從而可以期待更高的盈利。通過(guò)將EUV技術(shù)全面導(dǎo)入量產(chǎn)程序，SK海力士有望進(jìn)一步鞏固推動(dòng)前沿技術(shù)的高新企業(yè)地位。”
 
　　(原標(biāo)題：SK海力士開始量產(chǎn)采用EUV技術(shù)的第四代10納米(1a)級(jí)DRAM)
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