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三星曾計劃在今年開始制造更快、更高效的處理器，但技術進步的進展不如預期將使得全環(huán)繞柵極晶體管工藝的芯片將在2022年才能夠出現(xiàn)。這家韓國電子巨頭周三在其Samsung Foundry Forum上分享了這一轉變的時間表。這一延遲意味著依賴三星的客戶將不得不等待更長時間來利用這一前沿技術。使用該公司服務的最大公司包括手機芯片設計商高通公司、服務器制造商IBM和三星公司本身。
該公司現(xiàn)在計劃在2022年上半年開始為客戶生產(chǎn)第一批基于3納米的芯片設計。與5納米芯片相比，采用多橋通道場效應晶體管(MBCFET)的首個3納米全門(GAA)工藝節(jié)點將使面積減少35%，性能提高30%，功耗降低50%。
不過，對這些客戶來說，好消息是，三星還宣布了之后在下一代制造方面的進展，全面的工藝改進應該在2025年到來。三星表示，這應該會在芯片性能、電源效率和電子產(chǎn)品的小型化方面帶來另一次進步。
三星的芯片制造對手臺積電在8月披露了類似技術的延遲，而英特爾正在推出自己的代工業(yè)務，作為旨在奪回被臺積電和三星奪去的前沿地位的恢復計劃的一部分，該時間表的滑落稍微緩解了英特爾的壓力。
全球范圍看，處理器業(yè)務正面臨著極大的壓力，隨著大流行病推動了個人電腦的銷售、智能手機的使用以及數(shù)據(jù)中心的在線服務，對處理器的需求已經(jīng)超過了制造能力。芯片短缺已經(jīng)阻礙了個人電腦、游戲機、汽車和其他依賴全球電子供應鏈的產(chǎn)品的銷售。
三星代工企業(yè)高級副總裁Shawn Han說，根據(jù)三星與客戶的溝通，處理器的短缺在2022年前不會緩解。他在三星論壇舉辦之前的一次簡報會上說："在我們看來，這將再持續(xù)六到九個月，盡管我們正在投資，其他代工供應商也在增加他們的產(chǎn)能。"
轉向下一代制造技術是異常復雜的。芯片是由被稱為晶體管的數(shù)十億個電子元件組成的，每一個都比一?；覊m小得多。芯片制造廠，即晶圓廠，在硅片上蝕刻電路圖案，其過程需要幾十個步驟，耗時數(shù)月。
通常而言計算芯片的進展來自于晶體管的微型化，更多的晶體管可以擠在一個芯片上，提高其速度并降低其功耗。三星的下一代工藝，它稱之為3GAE，采用了一種被稱為"全環(huán)繞柵極晶體管"(GAA)的技術。這是該技術的一個早期版本。
在2023年，三星預計將通過一個名為3GAP的更成熟的版本達到高產(chǎn)量。名字中的3指的是3納米的測量，雖然不再與芯片電子的尺寸直接相關，但它是制造方法進步的一個標簽。
然后在2025年，該公司計劃轉向第二種更先進的全門控技術，它稱之為2GAP。這種制造方法將是三星2納米的第一代產(chǎn)品。
隨著芯片變得越來越復雜，它們往往也變得越來越昂貴，這就是為什么許多芯片買家堅持使用GlobalFoundries等公司的舊的、更便宜的制造工藝，但三星相信它能使新的制造工藝在經(jīng)濟上對客戶具有吸引力。
"即使GAA是一項困難的技術，我們仍將努力降低每個晶體管的成本，"三星代工戰(zhàn)略團隊負責人Moonsoo Kang說。"這一趨勢將繼續(xù)下去"。
(原標題：三星全環(huán)繞柵極晶體管設計將推遲到2022年 2納米制程預計2025年出現(xiàn))
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