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據(jù)外媒報道，韓國科技巨頭三星電子公司在美國成立了研發(fā)實體：三星聯(lián)邦公司(SFI)，并尋求與美國國家研究機構(gòu)開展半導(dǎo)體方面的合作。
8月20日，來自該企業(yè)集團內(nèi)部的消息人士透露，三星電子最近在其上半年的財報中透露，其美國子公司三星半導(dǎo)體(SSI)已經(jīng)于今年5月成立了新的研發(fā)實體。
SFI與SSI均位于位于加利福尼亞州圣何塞(San Jose)的同一棟大樓內(nèi)。雖然這份報告沒有透露有關(guān)SFI職責的具體細節(jié)，但從其名稱可以看出，它參與了與美國聯(lián)邦政府、政府機構(gòu)和相關(guān)企業(yè)有關(guān)的項目。
SFI美國網(wǎng)站上的招聘啟事顯示，該公司負責管理與SSI為美國聯(lián)邦政府機構(gòu)和簽約公司開展的人工智能(AI)和高性能計算(HPC)業(yè)務(wù)相關(guān)的項目。
該實體旨在與這些組織合作，設(shè)計基于三星世界先進的存儲芯片技術(shù)的突破性系統(tǒng)，以增強計算能力，提高產(chǎn)品性能和生產(chǎn)效率。該公司還計劃開發(fā)創(chuàng)新技術(shù)，以提高通信帶寬，促進基于系統(tǒng)的綜合業(yè)務(wù)。
三星電子決定在美國成立 SFI，反映了人工智能和高性能計算半導(dǎo)體市場正在不斷擴大，以及美國政府機構(gòu)對其日益增長的興趣。包括國防在內(nèi)的各個領(lǐng)域?qū)θ斯ぶ悄芎透咝阅苡嬎惆雽?dǎo)體的需求正在不斷增長，因此需要一個專門從事該領(lǐng)域研究的機構(gòu)。
三星電子一直在積極投資研發(fā)，今年上半年支出了近13.8萬億韓元(合103 億美元)，盡管該公司僅半導(dǎo)體部門就面臨8.94萬億韓元的虧損。
今年第二季度，三星電子的研發(fā)投資額達到了 7.2 萬億韓元，比去年同期的 6.25 萬億韓元增長了15.2%，創(chuàng)下了該公司有史以來最大的研發(fā)投資額。
三星電子表示，此次投資旨在保持其在高性能存儲芯片市場上的先進地位，包括DDR5和高帶寬 (HBM)內(nèi)存等高價值產(chǎn)品，并確保該公司在快速增長的人工智能和高性能計算半導(dǎo)體市場上占據(jù)主導(dǎo)地位。
三星電子與美國聯(lián)邦政府的積極合作預(yù)計也會對根據(jù)美國《芯片和科學(xué)法案》所獲得的補貼產(chǎn)生積極影響，因為美國政府預(yù)計會在補貼的審查過程中考慮企業(yè)與包括國防部在內(nèi)的政府機構(gòu)的關(guān)系。
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