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單顆1Tb!三星全球首發(fā)量產(chǎn)第九代QLC閃存

2024-09-13 09:14:49來源:快科技 關(guān)鍵詞:三星電子第九代QLC NAND閃存閱讀量:21351

導(dǎo)讀:三星電子官方宣布,已經(jīng)開始批量生產(chǎn)第九代QLC V-NAND閃存,單顆容量1Tb(128GB)。
  9月12日消息,三星電子官方宣布,已經(jīng)開始批量生產(chǎn)第九代QLC V-NAND閃存,單顆容量1Tb(128GB)。
 
  就在今年4月,三星開始量產(chǎn)第九代TLC V-NAND閃存,二者只間隔4個月。
 
  三星第九代QLC NAND閃存加入了多項創(chuàng)新:
 
  一是通道孔蝕刻(Channel Hole Etching)。
 
  基于雙堆棧架構(gòu),實現(xiàn)了當(dāng)前業(yè)內(nèi)最高的單元堆疊層數(shù)(具體未公開)。同時優(yōu)化存儲單元面積、外圍電路,位密度比上代提升約86%。
 
  二是預(yù)設(shè)模具(Designed Mold)。
 
  可以調(diào)整、控制存儲單元的字線(Word Line)間距,確保同一單元層內(nèi)、單元層之間的存儲單元的特性保持一致,達(dá)到最佳效果,數(shù)據(jù)保持性能提升約20%,增強(qiáng)了可靠性。
 
  三是預(yù)測程序(Predictive Program)。
 
  能夠預(yù)測、控制存儲單元的狀態(tài)變化,盡可能減少不必要的操作,寫入性能翻倍,數(shù)據(jù)輸入/輸出速度提升60%。
 
  四是低功耗設(shè)計(Low-Power Design)。
 
  降低了驅(qū)動NAND存儲單元所需的電壓,只感測必要的位線(Bit Line),數(shù)據(jù)讀取功耗約分別下降了約30%、50%。
 
  三星第九代QLC V-NAND閃存將首先用于消費電子產(chǎn)品,然后逐步在UFS、PC、服務(wù)器領(lǐng)域鋪開。
 
  原標(biāo)題:三星全球首發(fā)量產(chǎn)第九代QLC閃存:一顆1Tb、寫入提升100%
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