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美國開發(fā)新一代BAT激光器：遠超現(xiàn)有EUV光刻 效率提升10倍！

2025-01-06 11:42:54來源：快科技 關(guān)鍵詞：BAT激光器EUV光刻機閱讀量：25870

導讀：美國勞倫斯利弗莫爾國家實驗室(LLNL)正在研究一種效率比傳統(tǒng)CO2 EUV激光器高10倍的激光器，這將為下一代EUV光刻技術(shù)發(fā)展奠定基礎(chǔ)。
　　1月6日消息，美國勞倫斯利弗莫爾國家實驗室(LLNL)正在研究一種效率比傳統(tǒng)CO2 EUV激光器高10倍的激光器，這將為下一代EUV光刻技術(shù)發(fā)展奠定基礎(chǔ)。
 
　　據(jù)報道，LLNL正在研發(fā)的是一種拍瓦級(petawatt-class)銩激光器(thulium laser)，采用大孔徑銩 (BAT：Big Aperture Thulium ) 激光技術(shù)，與當前行業(yè)標準二氧化碳 (CO2) 激光器相比可將EUV光源效率提高約10 倍，未來有望取而代之。
 
　　ps.Petawatt(PW)是一個非常大的功率單位，表示10^15瓦特，常用于描述高能激光器的輸出功率。
 
　　LLNL認為，這一進步可能為新一代“超越EUV”的光刻系統(tǒng)鋪平道路，從而生產(chǎn)出更小、更強大、制造速度更快、同時耗電量更少的芯片。
 
　　當前，EUV光刻系統(tǒng)的能耗是一大問題。無論是低數(shù)值孔徑(Low-NA)還是高數(shù)值孔徑(High-NA)EUV光刻系統(tǒng)功耗都極高，分別高達1,170千瓦和 1,400 千瓦。
 
　　如此高的能耗主要是源于EUV光刻系統(tǒng)的工作原理，高能激光脈以每秒數(shù)萬次的頻率蒸發(fā)微小的錫液滴(溫度為 500,000?C)，以形成發(fā)出13.5納米波長光光的等離子體。這一過程需要龐大的激光基礎(chǔ)設(shè)施和冷卻系統(tǒng)，同時還要保證真空環(huán)境，防止EUV光被空氣吸收，進一步增加了整體能耗。
 
　　不僅如此，EUV工具中的先進反射鏡只能反射部分EUV光，因此必須提高激光器的功率以提高產(chǎn)能。
 
　　LLNL目前正在測試BAT(大孔徑銩)這種新型激光器技術(shù)，采用摻銩氟化釔鋰(Tm：YLF)作為激光增益介質(zhì)，理論上可以高效地輸出拍瓦級、超短激光脈沖，遠遠超過目前同類激光器的水平。
 
　　據(jù)LLNL稱，與在約10微米波長下工作的CO2激光器不同，該系統(tǒng)在大約2微米的波長下工作。從理論上講，當與錫液滴相互作用時，這可以提高等離子體到EUV的轉(zhuǎn)換效率。此外，與基于氣體的CO2激光器，BAT系統(tǒng)中使用的二極管泵浦固態(tài)技術(shù)可以提供更好的整體電氣效率和熱管理能力。
 
　　“據(jù)我們所知，這些脈沖能量是世界上任何波長接近2微米的激光架構(gòu)所報告的最高脈沖能量的25倍以上，”LLNL物理學家 Issa Tamer說道。
 
　　“在過去的五年里，我們進行了理論等離子體模擬和概念驗證激光演示，為這一項目奠定了基礎(chǔ)，”LLNL激光物理學家 Brendan Reagan 說。“我們的工作已經(jīng)對EUV光刻領(lǐng)域產(chǎn)生了相當大的影響，所以現(xiàn)在我們很高興能邁出下一步。”
 
　　不過，將BAT技術(shù)應(yīng)用于半導體生產(chǎn)需要克服重大基礎(chǔ)設(shè)施改造帶來的挑戰(zhàn)，因此需要多長時間才能取得成果還有待觀察。目前的EUV極紫外光刻系統(tǒng)，也經(jīng)過幾十年才開發(fā)才得以成熟。
 
　　行業(yè)分析公司TechInsights曾發(fā)出警告，預(yù)計到2030年，半導體晶圓廠每年小號的電力將達到54,000 吉瓦 (GW)，超過新加坡或希臘的年用電量。
 
　　如果下一代超數(shù)值孔徑(Hyper-NA EUV)光刻技術(shù)上市，功耗可能會更高。因此，我們可以預(yù)期該行業(yè)將繼續(xù)尋找更節(jié)能的技術(shù)來為未來的EUV光刻機提供動力，而LLNL的 BAT激光技術(shù)無疑為這一目標提供了新的可能性。
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