直播推薦
企業(yè)動態(tài)
- 會后報道 | 世界級制造WCM與工業(yè)4.0創(chuàng)新大會暨頒獎盛典新聞動態(tài)
- 東莞皓天交付隔爆試驗箱,助力廣東電子科技企業(yè)品質(zhì)升級
- SNEC 2025大秦數(shù)能兩類新品連發(fā),以“智慧儲能”助推能源轉(zhuǎn)型
- 藍芯科技即將亮相泰國NEPCON Thailand 2025
- 漢達森攜手瑞典AQ邀您共聚CPHI China 2025
- 歐姆龍亮相SNEC 2025:助推新能源產(chǎn)業(yè)加速升級,為零碳未來蓄能
- 東莞市皓天試驗設備有限公司召開線上技術會議 凝聚智慧共促技術升級
- 天津市投資促進局、天津市建設銀行一行到訪國聯(lián)股份肥多多
推薦展會
雙通道(Dual Channel)內(nèi)存控制技術簡介
雙通道內(nèi)存技術,就是在北橋(又稱之為MCH)芯片組里制作有兩個可以相互獨立工作內(nèi)存控制器。CPU可以在這兩個內(nèi)存通道上,分別尋址、讀取數(shù)據(jù),從而使內(nèi)存的帶寬增加一倍,數(shù)據(jù)存取速度也相應的增加一倍(理論上)。
目前流行的雙通道DDR內(nèi)存構(gòu)架是用兩個64位DDR內(nèi)存控制器構(gòu)筑而成的,其帶寬可以達到128位,但工作方式不同于單通道128位的內(nèi)存控制技術。因為雙通道體系的兩個內(nèi)存控制器是獨立的、具備互補性的智能內(nèi)存控制器,兩個內(nèi)存控制器能夠在彼此零等待時間的情況下同時運作。例如:控制器B準備進行下一次存取內(nèi)存時,控制器 A在讀/寫主內(nèi)存,反之亦然。兩個內(nèi)存控制器的這種互補特性可以將有效等待時間縮短50%,從而使內(nèi)存的帶寬翻一番。
雙通道DDR的兩個內(nèi)存控制器功能上*一樣,并且兩個控制器的時序參數(shù)都可以單獨編程設定。這種靈活性允許用戶使用兩條不同構(gòu)造、容量、速度的DIMM內(nèi)存條,此時雙通道DDR簡單地調(diào)整到zui低密度,實現(xiàn)128位帶寬,允許不同密度/等待時間特性的DIMM內(nèi)存條共同工作。
簡言之,雙通道技術是一種關系到主板芯片組的技術,與內(nèi)存本身無關,只要在北橋芯片內(nèi)部整合有兩個內(nèi)存控制器,就可以構(gòu)成雙通道DDR系統(tǒng)。用戶只需按照Channel 1和Channel 2成對插入內(nèi)存,即可實現(xiàn)該功能。如果只插單根內(nèi)存,或插入的內(nèi)存不匹配,則兩個內(nèi)存控制器僅有一個工作,就不能實現(xiàn)雙通道,仍按照通常的單通道方式工作。
雙通道內(nèi)存控制技術可以有效的提高內(nèi)存帶寬,特別是那些需要同內(nèi)存頻繁交換數(shù)據(jù)的軟件和整合有圖形核心(整合顯卡)的芯片組。在865G這樣整合顯卡的雙通道主板上,雙通道內(nèi)存控制技術所帶來的高帶寬,可以幫助整合顯卡在劃分主存做為顯存的時候,得到更高的數(shù)據(jù)帶寬,而顯存的數(shù)據(jù)帶寬正是制約顯卡性能的瓶頸。
對于整合圖形核心的主板來說,其內(nèi)存不僅要與CPU頻繁變換數(shù)據(jù),而且還將被主板上整合的圖形核心共享為顯存。這時,顯存也將頻繁地進行數(shù)據(jù)變換,這對于有限的內(nèi)存帶寬來說,無疑是一種嚴峻的考驗。
雙通道內(nèi)存控制技術是一種主板芯片組技術,只有支持雙通道內(nèi)存控制技術的芯片組才能構(gòu)架起雙通道內(nèi)存平臺,英特爾支持的芯片組有I850、 i875P、i7205、i865PE、i865G、SIS655、SIS655FX、VIA PT600(P4X600)、VIA PT800(P4X800)、VIA PT880等芯片組。
雙通道的優(yōu)點
(1)可以帶來2倍的內(nèi)存帶寬,需要與內(nèi)存數(shù)據(jù)進行頻繁交換的軟件將得到極大的好處,如SPEC Viewperf、3DMAX、IBM Data Explorer、Lightscape等。
(2)板載顯卡共享內(nèi)存時,雙通道技術帶來的高內(nèi)存帶寬可以幫助顯卡在游戲中獲得更為流暢的速度。
雙通道的缺點
(1)必須構(gòu)架在支持雙通道的主板上,并且必須有兩條相同容量、相同類型的內(nèi)存條。英特爾的雙通道對于內(nèi)存類型和容量要求很高,兩根內(nèi)存條必須*一致。
(2)雙通道若連接不正確,只能做單通道使用。
NORCO-860VE P4/5級全長CPU卡
------ 基于In 865PE芯片組
兩條184 pin 雙通道DDR內(nèi)存插槽,支持266/333/400MHz 雙通道DDR內(nèi)存,zui高達2GB
免責聲明
- 凡本網(wǎng)注明"來源:智能制造網(wǎng)"的所有作品,版權均屬于智能制造網(wǎng),轉(zhuǎn)載請必須注明智能制造網(wǎng),http://www.caslcampaign.com。違反者本網(wǎng)將追究相關法律責任。
- 企業(yè)發(fā)布的公司新聞、技術文章、資料下載等內(nèi)容,如涉及侵權、違規(guī)遭投訴的,一律由發(fā)布企業(yè)自行承擔責任,本網(wǎng)有權刪除內(nèi)容并追溯責任。
- 本網(wǎng)轉(zhuǎn)載并注明自其它來源的作品,目的在于傳遞更多信息,并不代表本網(wǎng)贊同其觀點或證實其內(nèi)容的真實性,不承擔此類作品侵權行為的直接責任及連帶責任。其他媒體、網(wǎng)站或個人從本網(wǎng)轉(zhuǎn)載時,必須保留本網(wǎng)注明的作品來源,并自負版權等法律責任。
- 如涉及作品內(nèi)容、版權等問題,請在作品發(fā)表之日起一周內(nèi)與本網(wǎng)聯(lián)系,否則視為放棄相關權利。
2025中國鄭州衡器與計量技術設備展覽會
展會城市:鄭州市展會時間:2025-11-07