全自動BOE濕法清洗機是一款專為半導體晶圓制造設計的濕法制程設備，集成化學刻蝕、精密清洗及自動化控制技術(shù)，適用于硅片、晶圓的氧化層去除、光刻膠剝離及污染物清洗等關(guān)鍵工藝。以下是其核心功能與技術(shù)特點的詳細介紹：

一、核心功能與工藝原理

BOE刻蝕技術(shù)

采用緩沖氧化物刻蝕液（BOE，HF/NH?F體系），精準去除SiO?、SiN?等材料，避免對硅基底的過度損傷，適用于淺槽隔離（STI）、柵極氧化層蝕刻等場景。

支持多配方兼容（如SPM、SC-1、DHF），可定制化學溶液濃度與溫度（±0.5℃），滿足不同制程需求。

高效清洗能力

通過噴淋、浸泡及兆聲波（高頻超聲波）協(xié)同作用，去除晶圓表面顆粒、金屬污染及有機物殘留，對≥25nm顆粒的去除效率＞99%

可選配IPA蒸氣干燥模塊，實現(xiàn)無水漬殘留的超潔凈表面處理。

二、設備結(jié)構(gòu)與技術(shù)優(yōu)勢

自動化系統(tǒng)

機械手傳輸：伺服驅(qū)動機械臂精準抓取晶圓，支持6-12英寸晶圓單片處理，定位精度±0.1mm，避免交叉污染。

PLC智能控制：預設多段工藝程序（如預洗→主刻→漂洗→干燥），支持參數(shù)實時監(jiān)控與數(shù)據(jù)追溯，適配工業(yè)4.0互聯(lián)需求。

耐腐蝕設計與環(huán)保性

材質(zhì)：槽體采用PFA、石英或PTFE涂層，抗HF、BOE等強腐蝕性藥液，延長設備壽命。

廢液處理：內(nèi)置UF/MF膜過濾系統(tǒng)，藥液回收率＞80%，廢液分類中和，符合RoHS環(huán)保標準。

高產(chǎn)能與穩(wěn)定性

單片處理時間＜5分鐘（含干燥），兼容多晶圓批次處理（如50片/批），提升產(chǎn)線效率。

封閉式腔體設計，防止揮發(fā)性氣體外泄，確保操作安全與工藝穩(wěn)定性。

三、應用場景與適配領(lǐng)域

半導體制造

光刻膠剝離后清洗、柵極氧化層蝕刻、TSV（硅通孔）三維封裝前處理等。

適用于制程（如FinFET、GAA架構(gòu)）對深孔、高深寬比結(jié)構(gòu)的精密清洗需求。

其他領(lǐng)域

第三代半導體（SiC、GaN）器件清洗、LED芯片制造、MEMS器件加工等。

四、定制化服務與技術(shù)支持

靈活配置：根據(jù)客戶需求定制槽體尺寸、機械臂數(shù)量及藥液系統(tǒng)（如添加臭氧消毒模塊）。

售后服務：提供工藝調(diào)試、耗材供應（如PFA槽體、過濾器）及終身維護支持，保障設備長期穩(wěn)定運行。

全自動BOE濕法清洗機以高精度刻蝕、高效清洗及智能化控制為核心，結(jié)合環(huán)保設計與廣泛工藝兼容性，成為半導體制造中的關(guān)鍵設備，尤其適用于節(jié)點芯片的高性能清洗需求。