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國家知識產(chǎn)權(quán)局信息顯示，北京航天時代光電科技有限公司申請一項名為“一種緊湊型薄膜鈮酸鋰調(diào)制器芯片”的專利，公開號 CN 119045219 A，申請日期為2024年8月。
專利摘要顯示，該發(fā)明涉及一種緊湊型薄膜鈮酸鋰調(diào)制器芯片，屬于光通信器件領(lǐng)域。
該發(fā)明的優(yōu)勢之處在于，提供了一種緊湊的調(diào)制器波導(dǎo)光路，增加波導(dǎo)臂的長度的同時減小了芯片的尺寸，由此增加了調(diào)制電極的長度，提高了調(diào)制效率，降低了半波電壓。
電光調(diào)制器作為高速光模塊的核心組件，其調(diào)制速率直接決定了光模塊的數(shù)據(jù)傳輸能力。迄今為止，眾多研究人員已對多種結(jié)構(gòu)類型、制備方法及工作波長的薄膜鈮酸鋰調(diào)制器進(jìn)行了深入且系統(tǒng)的探索。
薄膜鈮酸鋰技術(shù)作為一項革命性突破，在大規(guī)模、高密度光子集成領(lǐng)域展現(xiàn)出了顯著優(yōu)勢。與傳統(tǒng)鈮酸鋰相比，薄膜鈮酸鋰器件能輕松實現(xiàn)超過100GHz的3dB帶寬，這對推動高速光通信、光互聯(lián)以及片上光計算等領(lǐng)域的發(fā)展具有深遠(yuǎn)影響。
對于1.6T這樣的高算力光模塊而言，薄膜鈮酸鋰光調(diào)制器是不可或缺的組件。它能夠滿足高算力標(biāo)準(zhǔn)，同時兼具低損耗、小體積和高帶寬的特性。然而，薄膜鈮酸鋰調(diào)制器的研發(fā)與制造過程極為復(fù)雜，當(dāng)前仍面臨大尺寸制備挑戰(zhàn)以及材料脆性等難題，亟待解決。
基于薄膜鈮酸鋰的光調(diào)制器憑借其高性能、低成本、小型化、可批量化生產(chǎn)以及與CMOS工藝的高度兼容性等優(yōu)勢，備受業(yè)界青睞。當(dāng)前，包括日本富士通、日本住友、光庫科技、鈮奧光電以及元芯光電在內(nèi)的多家企業(yè)，均在該細(xì)分領(lǐng)域深耕細(xì)作，積極布局。
浙公網(wǎng)安備 33010602000006號
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